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具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
1 绪论第8-15页
   ·人类面临的能源问题第8页
   ·太阳能的优势第8-9页
   ·太阳能电池的研究与发展现状第9-10页
   ·HIT 太阳能电池的研究与发展现状第10-13页
   ·本文主要研究内容第13-15页
2 HIT 太阳能电池理论基础第15-20页
   ·HIT 太阳能电池工作原理第15页
   ·HIT 太阳能电池的异质结结构第15-17页
   ·HIT 太阳能电池的主要性能指标第17-20页
3 用于HIT 太阳能电池的铝背场的研究第20-31页
   ·表面钝化工艺原理第20-23页
   ·铝背场的形成机理和制备方法第23-25页
   ·少数载流子寿命测量第25页
   ·实验第25-27页
   ·结果和讨论第27-31页
4 非晶硅薄膜的制备工艺研究第31-49页
   ·非晶硅薄膜第31-34页
   ·PECVD 沉积非晶硅薄膜第34-38页
   ·本征a-Si:H 薄膜第38页
   ·n 型发射极薄膜第38-39页
   ·实验和结果第39-48页
   ·结论第48-49页
5 异质结界面钝化和腐蚀工艺的研究第49-59页
   ·非晶硅/单晶硅异质结界面钝化处理第49-50页
   ·异质结界面绒面结构的研究第50-53页
   ·实验和结果第53-58页
   ·结论第58-59页
6 总结第59-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-66页
附录攻读硕士学位期间发表的论文及申请的专利第66页

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