| 致谢 | 第1-5页 |
| 发表论文目录 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| 英文摘要 | 第8-13页 |
| 前言 | 第13-15页 |
| 第一章 SOI的应用及器件物理的若干问题 | 第15-38页 |
| 1．1 引言 | 第15页 |
| 1．2 SOI技术的发展过程 | 第15-16页 |
| 1．3 SOI相对于体硅的优越性 | 第16-19页 |
| 1．4 SOI材料制备技术 | 第19-21页 |
| 1．4．1 注氧隔离（SIMOX）技术 | 第19-20页 |
| 1．4．2 智能剥离（SMART-CUT）SOI新技术 | 第20-21页 |
| 1．5 SOI器件的若干物理问题 | 第21-27页 |
| 1．5．1 阈值电压 | 第22-24页 |
| 1．5．2 亚阈值斜率 | 第24-25页 |
| 1．5．3 体效应 | 第25-26页 |
| 1．5．4 短沟道效应 | 第26页 |
| 1．5．5 翘曲效应 | 第26-27页 |
| 1．5．6 寄生双极晶体管效应 | 第27页 |
| 1．6 CMOS/SOI工艺 | 第27-31页 |
| 1．6．1 隔离技术 | 第27-29页 |
| 1．6．2 杂质分布 | 第29-30页 |
| 1．6．3 CMOS/SOI工艺流程 | 第30-31页 |
| 1．7 SOI技术的应用 | 第31-36页 |
| 1．7．1 SOI技术的三个主要应用领域 | 第31-34页 |
| 1．7．2 SOI技术应用新进展 | 第34-36页 |
| 1．8 本论文工作 | 第36页 |
| 本章参考文献 | 第36-38页 |
| 第二章 铁电薄膜的器件应用 | 第38-45页 |
| 2．1 引言 | 第38页 |
| 2．2 自发极化与铁电特性 | 第38-39页 |
| 2．3 集成铁电器件 | 第39-40页 |
| 2．4 铁电动态随机存储器（FERAM） | 第40-43页 |
| 2．4．1 FERAM的优点 | 第40-41页 |
| 2．4．2 FERAM研究的主要问题 | 第41-42页 |
| 2．4．3 铁电存储器的应用领域 | 第42-43页 |
| 2．5 本章小结 | 第43-44页 |
| 本章参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 CMOS/SOI十二位D/A、八位A/D转换器的研制 | 第45-59页 |
| 3．1 引言 | 第45页 |
| 3．2 CMOS/SOI十二位D/A、八位A/D转换器 | 第45-51页 |
| 3．2．1 CMOS/SOI十二位D/A转换器 | 第46-49页 |
| 3．2．2 CMOS/SOI八位A/D转换器 | 第49-51页 |
| 3．3 CMOS/SOI十二位D/A、八位A/D转换器的工艺流程 | 第51-54页 |
| 3．4 器件特性测试分析 | 第54-56页 |
| 3．4．1 器件特性测试结果 | 第54页 |
| 3．4．2 背栅测试与分析 | 第54-56页 |
| 3．5 流片测试结果及分析 | 第56-57页 |
| 3．5．1 电路功能测试方法 | 第56页 |
| 3．5．2 CMOS/SOI十二位D/A转换器测试结果 | 第56-57页 |
| 3．5．3 CMOS/SOI八位A/D转换器测试结果 | 第57页 |
| 3．6 本章小结 | 第57-58页 |
| 本章参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 铁电存储器的设计与工艺研究 | 第59-74页 |
| 4．1 引言 | 第59-60页 |
| 4．2 铁电存储单元 | 第60-64页 |
| 4．2．1 1C/1T存储单元的工作原理 | 第60-62页 |
| 4．2．2 2C/2T存储单元的工作原理 | 第62-63页 |
| 4．2．3 FEMFET存储单元及工作原理 | 第63-64页 |
| 4．3 4×8位铁电存储器的设计及工艺研究 | 第64-72页 |
| 4．3．1 4×8位铁电存储器的设计 | 第64-65页 |
| 4．3．2 4×8位铁电存储器存储单元的工艺研究 | 第65-72页 |
| 4．4 工艺流程中存在的问题 | 第72-73页 |
| 4．5 本章小结 | 第73页 |
| 本章参考文献 | 第73-74页 |
| 第五章 铁电存储单元的模拟 | 第74-84页 |
| 5．1 引言 | 第74页 |
| 5．2 铁电电容的测量 | 第74-77页 |
| 5．2．1 电滞回线的测量 | 第74-76页 |
| 5．2．2 瞬时电流测量 | 第76-77页 |
| 5．3 ZSTT铁电电容模型 | 第77-78页 |
| 5．4 参数提取和分析 | 第78-79页 |
| 5．5 ZSTT铁电电容模型的实现 | 第79-81页 |
| 5．6 1C/1T存储单元的模拟 | 第81-83页 |
| 5．6．1 优化铁电电容的面积 | 第81页 |
| 5．6．2 1C/1T铁电存储单元读、写操作的时序 | 第81-83页 |
| 5．7 本章小结 | 第83页 |
| 本章参考文献 | 第83-84页 |
| 第六章 总结 | 第84-86页 |
| 简历 | 第86页 |
