| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-12页 |
| 第1章 非晶态半导体超晶格材料研究进展 | 第12-17页 |
| ·非晶态半导体超晶格简介 | 第12-13页 |
| ·非晶态半导体超晶格材料的发光研究进展 | 第13-15页 |
| ·非晶态半导体超晶格材料的非线性光学研究进展 | 第15-16页 |
| ·小结 | 第16-17页 |
| 第2章 a-Si/a-SiNx 超晶格材料的制备 | 第17-23页 |
| ·a-Si/a-SiNx 超晶格材料制备的可行性及优点 | 第17页 |
| ·a-Si/a-SiNx 超晶格材料的结构 | 第17-18页 |
| ·射频磁控反应溅射镀膜的基本原理 | 第18-19页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第19-22页 |
| ·实验参数的选择 | 第20页 |
| ·工艺 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第3章 a-Si/a-SiNx 超晶格材料的表征 | 第23-29页 |
| ·X 射线衍射测试 | 第23-25页 |
| ·X 射线能谱（EDS）测试 | 第25-26页 |
| ·红外光谱（IR） | 第26-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第4章 a-Si/a-SiNx 超晶格材料的光学特性 | 第29-44页 |
| ·材料的光吸收特性 | 第29-37页 |
| ·材料的吸收边以及光学带隙 | 第29-30页 |
| ·材料的紫外-可见谱测试结果与分析 | 第30-37页 |
| ·材料的光致发光特性 | 第37-42页 |
| ·光致发光原理 | 第37-38页 |
| ·光致发光结果与分析 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 第5章 a-Si/a-SiNx 超晶格材料的三阶非线性光学特性 | 第44-58页 |
| ·a-Si/a-SiNx 超晶格材料的Z-扫描实验 | 第44-50页 |
| ·实验装置 | 第45页 |
| ·Z-扫描理论 | 第45-50页 |
| ·1064nm 光激发实验结果与分析 | 第50-54页 |
| ·材料的光吸收测试 | 第50页 |
| ·样品的Z 扫描结果 | 第50-54页 |
| ·532nm 光激发实验结果与分析 | 第54-57页 |
| ·样品的吸收谱 | 第54-55页 |
| ·样品的Z-扫描结果 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
