含氢氘系统核反应动力学理论研究
| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-17页 |
| ·概述 | 第9-10页 |
| ·氢、氘核的慢化特性及各向异性 | 第10-15页 |
| ·氢、氘核的慢化特性 | 第10-12页 |
| ·氢、氘核中次级中子散射的各向异性分布 | 第12-15页 |
| ·本文主要研究工作 | 第15-17页 |
| 第二章 中子输运理论 | 第17-32页 |
| ·中子输运方程的三种形式 | 第18-19页 |
| ·常用的数值计算方法 | 第19-32页 |
| ·球谐函数法(Pn法) | 第20-22页 |
| ·离散纵标法(Sn法) | 第22-28页 |
| ·离散节块法 | 第28页 |
| ·MC法 | 第28-29页 |
| ·本征函数展开方法 | 第29-32页 |
| 第三章 群常数 | 第32-52页 |
| ·微观评价库的选取 | 第32-36页 |
| ·群常数制作过程 | 第36-44页 |
| ·截面重造 | 第36-37页 |
| ·多普勒(Doppler)展宽 | 第37-38页 |
| ·不可分辨共振数据处理 | 第38-39页 |
| ·中子热化处理 | 第39-40页 |
| ·产生群平均截面 | 第40-44页 |
| ·接口处理 | 第44页 |
| ·文中截面 | 第44-52页 |
| ·不同温度下的截面 | 第44-49页 |
| ·常温下不同自屏蔽因子本底截面下的截面 | 第49-50页 |
| ·高温下不同自屏蔽因子本底截面下的截面 | 第50-52页 |
| 第四章 中子在无限含氢氘系统中的慢化 | 第52-64页 |
| ·不同能量源中子的慢化过程 | 第52-56页 |
| ·14.1MeV源中子的慢化过程 | 第52-54页 |
| ·2MeV源中子的慢化过程 | 第54-56页 |
| ·不同能量源中子的造氚过程 | 第56-62页 |
| ·常温下14.1MeV源中子的造氚过程 | 第56-59页 |
| ·高温下14.1MeV源中子的造氚过程 | 第59页 |
| ·常温下2MeV源中子的造氚过程 | 第59-60页 |
| ·高温下2MeV源中子的造氚过程 | 第60页 |
| ·不同源中子的造氚过程 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第五章 常温下含氢氘系统低能中子行为 | 第64-82页 |
| ·含氢氘系统中子能谱及造氚 | 第65-75页 |
| ·裂变源中子在含氢氘系统中能谱及造氚 | 第65-67页 |
| ·能群下限截断对裂变源系统输运计算的影响 | 第67-72页 |
| ·聚变源中子在系统中的能谱及造氚 | 第72-73页 |
| ·能群下限截断对聚变源系统输运计算的影响 | 第73-75页 |
| ·含氢氘系统中子泄漏谱比较 | 第75-77页 |
| ·含氢氘系统中子泄漏谱对外层系统的影响 | 第77-80页 |
| ·裂变源中子泄漏谱对外层系统输运计算的影响 | 第77-79页 |
| ·聚变源中子泄漏谱对外层系统输运计算的影响 | 第79-80页 |
| ·其他不同源下含氢氘系统低能中子行为 | 第80-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 第六章 高温下含氢氘系统低能中子行为 | 第82-95页 |
| ·温度对含氢氘系统通量、造氚的影响 | 第82-87页 |
| ·温度对含氢氘系统通量的影响 | 第82-84页 |
| ·无反射层时温度对含氢氘系统造氚的影响 | 第84-86页 |
| ·有反射层时温度对含氢氘系统造氚的影响 | 第86-87页 |
| ·高温下的能量截断对含氢氘系统的影响 | 第87-90页 |
| ·0.5keV截断 | 第88页 |
| ·1keV截断 | 第88-89页 |
| ·5keV截断 | 第89-90页 |
| ·不同温度下的自屏效应对含氢氘系统的影响 | 第90-94页 |
| ·自屏效应对截面的影响 | 第90-91页 |
| ·不同温度下自屏效应对其它积分量输运计算的影响 | 第91-94页 |
| ·小结 | 第94-95页 |
| 第七章 多群输运计算的影响 | 第95-106页 |
| ·权重通量对多群输运计算的影响 | 第95-102页 |
| ·不同权重通量下的截面 | 第95-100页 |
| ·权重谱对含氢氘系统输运计算的影响 | 第100-101页 |
| ·小结 | 第101-102页 |
| ·输运近似方法对多群输运计算的影响 | 第102-106页 |
| ·输运近似方法 | 第102-103页 |
| ·模型计算与结果 | 第103-105页 |
| ·小结 | 第105-106页 |
| 第八章 总结 | 第106-109页 |
| 参考文献 | 第109-115页 |
| 论文发表情况 | 第115-116页 |
| 附录 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
