摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-19页 |
·引言 | 第9-11页 |
·半导体的光催化机理 | 第11-13页 |
·二氧化钛改性简介 | 第13-15页 |
·贵金属沉积 | 第13-14页 |
·半导体复合 | 第14页 |
·染料敏化 | 第14页 |
·离子掺杂 | 第14-15页 |
·本文的研究背景及内容 | 第15-19页 |
第二章 第一性原理及VASP软件 | 第19-29页 |
·第一性原理计算的理论基础 | 第19-28页 |
·第一性原理计算方法 | 第20-21页 |
·密度泛函理论(DFT) | 第21-26页 |
·交换—关联能函数近似 | 第26-28页 |
·VASP软件包简介 | 第28-29页 |
第三章 过渡金属Mn和Ni掺杂锐钛矿相TiO_2的理论计算 | 第29-43页 |
·未掺杂计算结果与分析 | 第31-33页 |
·纯锐钛矿TiO_2几何优化结果 | 第31页 |
·能带结构和态密度 | 第31-33页 |
·Mn掺杂计算结果与讨论 | 第33-38页 |
·Mn取代O掺杂锐钛矿TiO_2 | 第33-35页 |
·Mn取代Ti掺杂锐钛矿TiO_2 | 第35-37页 |
·Mn掺杂TiO_2的杂质能级及光吸收作用分析 | 第37-38页 |
·Ni掺杂锐钛矿TiO_2 | 第38-41页 |
·Ni取代O掺杂锐钛矿TiO_2 | 第38-40页 |
·Ni取代Ti掺杂锐钛矿TiO_2 | 第40-41页 |
·本章小结 | 第41-43页 |
第四章 非金属B和P掺杂锐钛矿TiO2的理论计算 | 第43-51页 |
·B掺杂计算结果与讨论 | 第43-47页 |
·B间隙掺杂 | 第43-44页 |
·B取代O掺杂锐钛矿TiO_2 | 第44-45页 |
·B取代Ti掺杂锐钛矿TiO_2 | 第45-47页 |
·P掺杂计算结果与讨论 | 第47-49页 |
·P取代Ti掺杂锐钛矿TiO_2 | 第47-48页 |
·P取代O掺杂锐钛矿TiO_2 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
第五章 总结 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
硕士期间发表论文 | 第60页 |