| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 多孔硅的形成机理 | 第8-21页 |
| ·多孔硅的制备及形貌 | 第8-9页 |
| ·腐蚀机理的研究 | 第9-16页 |
| ·Beale模型 | 第9-13页 |
| ·Lehmann模型 | 第13-16页 |
| ·多孔硅形成的计算机模拟 | 第16-21页 |
| ·扩散限制模型 | 第16-19页 |
| ·渝渗模型 | 第19-21页 |
| 第二章 硅的各向异性腐蚀 | 第21-28页 |
| ·硅各向异性腐蚀的过程 | 第21-22页 |
| ·硅各向异性腐蚀的模拟方法 | 第22-28页 |
| ·几何模型 | 第23-24页 |
| ·原子模型 | 第24-28页 |
| 第三章 Si-NPA的形成机理I-空穴必须模型 | 第28-35页 |
| ·硅纳米孔柱阵列的制备及形貌 | 第28-29页 |
| ·硅在HF溶液中的各向异性腐蚀 | 第29-32页 |
| ·Si-NPA形成的物理模型-空穴必须模型 | 第32-35页 |
| 第四章 基于空穴必须模型的计算机模拟 | 第35-46页 |
| ·计算材料学的特点 | 第35-36页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第36-38页 |
| ·空穴辅助模型的计算机模拟 | 第38-46页 |
| ·单晶硅的结构 | 第38-40页 |
| ·计算机模型的确立 | 第40-42页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第42-46页 |
| 第五章 Si-NPA的形成机理II-空穴辅助模型及计算机模拟 | 第46-51页 |
| ·空穴辅助模型 | 第46-47页 |
| ·改变溶液浓度研究形貌变化 | 第47-48页 |
| ·计算机模拟算法 | 第48-49页 |
| ·计算机模拟结果 | 第49-51页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |