GaN纳米线和薄膜的制备及其特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-32页 |
| ·纳米材料与纳米技术 | 第10-15页 |
| ·纳米材料的概念及分类 | 第10页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第10-14页 |
| ·纳米技术的应用 | 第14-15页 |
| ·氮化镓材料的性质与研究进展 | 第15-19页 |
| ·氮化镓的基本性质 | 第16-19页 |
| ·氮化镓材料的研究历史 | 第19页 |
| ·氮化镓材料的制备方法 | 第19-24页 |
| ·卤化物气相外延(HVPE)技术 | 第21页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第21-22页 |
| ·金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术 | 第22-23页 |
| ·衬底材料 | 第23-24页 |
| ·氮化镓基材料的应用 | 第24-28页 |
| ·氮化镓基发光器件 | 第24-27页 |
| ·氮化镓基电子器件 | 第27页 |
| ·氮化镓基紫外光探测器 | 第27页 |
| ·氮化镓基光电器件的应用前景及展望 | 第27-28页 |
| ·一维氮化镓纳米材料的概况和研究方向 | 第28-31页 |
| ·一维纳米材料的介绍 | 第28页 |
| ·一维氮化镓纳米材料的制备方法 | 第28-30页 |
| ·一维纳米材料的应用 | 第30-31页 |
| ·本论文的选题依据和主要试验内容 | 第31-32页 |
| ·选题依据 | 第31页 |
| ·研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 氮化镓纳米线的制备与表征 | 第32-52页 |
| ·前言 | 第32-34页 |
| ·催化法合成一维氮化镓纳米线 | 第34-44页 |
| ·试验所用材料及试验设备 | 第34页 |
| ·实验内容 | 第34-36页 |
| ·表征方法 | 第36-37页 |
| ·结果与分析 | 第37-43页 |
| ·氮化镓纳米线生长机理分析 | 第43-44页 |
| ·直接反应法合成一维氮化镓纳米线 | 第44-50页 |
| ·实验内容 | 第45页 |
| ·表征方法 | 第45-48页 |
| ·表征结果与机理分析 | 第48-49页 |
| ·氮化镓纳米棒的发现 | 第49-50页 |
| ·本章小节 | 第50-52页 |
| 第三章 氮化镓薄膜和氮化镓粗晶棒的制备与表征 | 第52-60页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·CVD法合成氮化镓薄膜 | 第53-57页 |
| ·试验所用材料及试验设备 | 第53页 |
| ·实验内容 | 第53-54页 |
| ·表征方法 | 第54页 |
| ·结果与分析 | 第54-56页 |
| ·氮化镓薄膜形成机理分析 | 第56-57页 |
| ·氮化镓粗晶棒的发现 | 第57-59页 |
| ·本章小节 | 第59-60页 |
| 第四章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第71页 |
