基于SiGe技术的5GHz频段射频接收机前端研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·5GHz 波段简介 | 第8-9页 |
| ·SiGe BiCMOS 技术简介 | 第9-12页 |
| ·BiCMOS 技术的主要特点 | 第9-10页 |
| ·SiGe HBT | 第10-11页 |
| ·高性能的SiGe BiCMOS 技术 | 第11-12页 |
| ·ADS 简介 | 第12-13页 |
| ·论文研究的内容与目标 | 第13-14页 |
| ·论文结构 | 第14页 |
| ·参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 射频接收机及其前端模块 | 第16-32页 |
| ·接收机体系结构 | 第16-19页 |
| ·超外差体系结构 | 第16-17页 |
| ·零中频体系结构 | 第17页 |
| ·低中频体系结构 | 第17-18页 |
| ·适合于单片集成的体系结构选择 | 第18-19页 |
| ·射频设计仿真方法 | 第19-24页 |
| ·接收机的系统指标 | 第24-27页 |
| ·噪声系数（Noise figure） | 第24页 |
| ·线性度和失真 | 第24-26页 |
| ·相位噪声 | 第26-27页 |
| ·动态范围 | 第27页 |
| ·低噪声放大器和下变频混频器的基本要求 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29页 |
| ·参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 低噪声放大器设计与仿真 | 第32-54页 |
| ·低噪声放大器设计基础 | 第32-45页 |
| ·低噪声放大器的结构 | 第32-33页 |
| ·低噪声放大器的噪声 | 第33-39页 |
| ·低噪声放大器的线性度分析 | 第39-41页 |
| ·LNA 的匹配问题 | 第41-45页 |
| ·SiGe 低噪声放大器的设计 | 第45-48页 |
| ·SiGe 低噪声放大器的仿真结果 | 第48-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 混频器设计与仿真 | 第54-72页 |
| ·亚谐波混频器设计 | 第54-65页 |
| ·亚谐波混频器简介 | 第55页 |
| ·亚谐波混频器核心拓扑结构 | 第55-57页 |
| ·亚谐波混频器核心电路设计 | 第57-59页 |
| ·偏置 | 第59-61页 |
| ·缓冲放大器 | 第61-63页 |
| ·多相滤波器 | 第63-65页 |
| ·混频器仿真结果 | 第65-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| ·参考文献 | 第70-72页 |
| 第五章 其他设计考虑 | 第72-80页 |
| ·系统设计考虑 | 第72-73页 |
| ·I/O 引脚数 | 第72页 |
| ·串扰 | 第72-73页 |
| ·数字电路噪声 | 第73页 |
| ·芯片布局规划 | 第73-76页 |
| ·信号流程和衬底偶合 | 第73-75页 |
| ·接地 | 第75-76页 |
| ·隔离 | 第76页 |
| ·封装考虑 | 第76-77页 |
| ·射频电路的ESD 保护 | 第77-78页 |
| ·静电保护的必要性 | 第77-78页 |
| ·静电保护电路的设计[6] | 第78页 |
| ·小结 | 第78页 |
| ·参考文献 | 第78-80页 |
| 第六章 工作总结和未来工作展望 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 在读期间研究成果 | 第84页 |
