| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 DRAM 器件的基本介绍 | 第7-11页 |
| ·前言 | 第7页 |
| ·内存的种类 | 第7-9页 |
| ·DRAM 市场的现状与发展 | 第9-11页 |
| 第二章 DRAM 器件的工作原理 | 第11-22页 |
| ·DRAM 器件的工作原理 | 第11-18页 |
| ·DRAM 器件的基本结构 | 第11-16页 |
| ·DRAM 器件的工作原理 | 第16-18页 |
| ·DRAM 器件的芯片介绍 | 第18-22页 |
| ·DRAM 器件的管脚介绍 | 第18-19页 |
| ·DRAM 器件工作时序 | 第19-22页 |
| 第三章 DRAM 器件的晶圆制造的工艺与流程 | 第22-37页 |
| ·DRAM 器件晶圆制造的前段工艺 | 第22-32页 |
| ·DRAM 器件晶圆制造的后段工艺 | 第32-37页 |
| 第四章 DRAM 器件制造的新工艺 | 第37-50页 |
| ·有源区隔离(Isolation)的新工艺 | 第37-38页 |
| ·金属互连的新工艺(铜制程工艺) | 第38-40页 |
| ·轻掺杂漏极工艺(LDD – Light Dope Drain) | 第40-41页 |
| ·光刻工艺的新发展 | 第41-47页 |
| ·光刻胶的分辨率与防反射涂层 | 第41-44页 |
| ·数值孔径与曝光光源的选取 | 第44-47页 |
| ·DRAM 器件电容构造的新工艺 | 第47-50页 |
| 第五章 DRAM 器件的电性测试与良品率 | 第50-73页 |
| ·DRAM 器件的电性测试简述 | 第50页 |
| ·晶圆参数检测(WAT) | 第50-57页 |
| ·间距(Spacing) | 第51-52页 |
| ·连接性(Continuity) | 第52页 |
| ·隔离性(Isolation) | 第52-53页 |
| ·方片电阻(Sheet Rs) | 第53-54页 |
| ·接触电阻(Contact Rc) | 第54页 |
| ·Kelvin 电阻 | 第54-55页 |
| ·开启电压(Vth) | 第55-56页 |
| ·关断电流(Ioff) | 第56-57页 |
| ·击穿电压(BKV) | 第57页 |
| ·晶圆筛选检测(Wafer Unit Probe) | 第57-62页 |
| ·晶圆筛选测试系统的硬件与软件结构 | 第57-58页 |
| ·DRAM 器件的测试流程 | 第58-62页 |
| ·连接性测试 | 第59-60页 |
| ·输入漏电流测试 | 第60页 |
| ·输出漏电流测试 | 第60页 |
| ·待机状态电源电流测试 | 第60-61页 |
| ·基本功能检测 | 第61页 |
| ·数据保持力检测 | 第61-62页 |
| ·内存修补检测 | 第62页 |
| ·电性测试如何提高良品率 | 第62-70页 |
| ·Via1 Open | 第62-64页 |
| ·激光修补(Laser Repair) | 第64-66页 |
| ·快速测试(Smart Test) | 第66-69页 |
| ·连接测试(Contact Test) | 第69-70页 |
| ·电测良品率与整体良品率 | 第70-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |