摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
·自由电子激光简介 | 第11-12页 |
·自由电子激光国内外发展历史 | 第11-12页 |
·自由电子激光主要模式 | 第12页 |
·短波长自由电子激光发展态势 | 第12-14页 |
·短波长高增益自由电子激光主要模式 | 第14-18页 |
·论文内容 | 第18-20页 |
第二章 自由电子激光基本理论 | 第20-45页 |
·平面型波荡器的磁场表达和电子运动轨迹 | 第20-24页 |
·平面型波荡器的磁场数学表达 | 第20-22页 |
·电子运动轨迹 | 第22-24页 |
·自由电子激光基本方程 | 第24-37页 |
·考虑光场作用的电子运动方程 | 第24-26页 |
·能量方程 | 第26-27页 |
·相位方程 | 第27-30页 |
·小信号增益 | 第30-32页 |
·光场方程 | 第32-36页 |
·高增益模式 | 第36-37页 |
·自放大自发辐射自由电子激光(SASE-FEL) | 第37-39页 |
·高增益谐波放大自由电子激光(HGHG-FEL) | 第39-43页 |
·HGHG-FEL的理论估算 | 第39-42页 |
·HGHG-FEL的一维解析理论 | 第42-43页 |
·小结 | 第43-45页 |
第三章 FEL数值模拟方法 | 第45-62页 |
·自由电子激光模拟软件的基本算法 | 第45-51页 |
·基本自由电子激光方程 | 第45-46页 |
·宏粒子抽样 | 第46-49页 |
·依赖时间的模拟方法(time dependent simulation) | 第49-51页 |
·TDA3D和Genesis1.3的算法简介 | 第51-56页 |
·光场方程求解方法的比较 | 第52-53页 |
·功率计算方法 | 第53-54页 |
·电子相位抽样方法的比较 | 第54页 |
·TDA3D和Genesis1.3算例比较 | 第54-56页 |
·FAST的算法 | 第56-58页 |
·MEDUSA的算法 | 第58-60页 |
·小结 | 第60-62页 |
第四章 一维时间依赖FEL计算程序TDH1D | 第62-81页 |
·基本方程 | 第62-63页 |
·三维效应修正 | 第63-67页 |
·电子的β振荡对束流密度的影响 | 第63-64页 |
·β振荡对相速度的影响 | 第64-65页 |
·光场与电子束重合效果的修正 | 第65-67页 |
·程序总体流程 | 第67-68页 |
·SASE-FEL运算 | 第68-72页 |
·参数选择 | 第68页 |
·SASE-FEL的稳态计算 | 第68-69页 |
·SASE_FEL时域计算和频谱分析 | 第69-72页 |
·HGHG-FEL计算 | 第72-76页 |
·计算参数 | 第72-73页 |
·稳态计算 | 第73-75页 |
·时域计算和频谱分析 | 第75-76页 |
·高次谐波计算 | 第76-79页 |
·小结 | 第79-81页 |
第五章 HGHG-FEL理论分析与半解析计算 | 第81-95页 |
·HGHG-FEL半解析计算程序HG1D | 第82-86页 |
·群聚因子的数值计算方法 | 第82-83页 |
·与TDA3D的对比计算 | 第83-85页 |
·HG1D与Genesis1.3的对比 | 第85-86页 |
·种子激光和色散段强度的优化方法 | 第86-89页 |
·HG1D算法的一些讨论 | 第89-93页 |
·发射度等效能散的修正 | 第90-91页 |
·不同求平均方法造成的误差 | 第91-92页 |
·种子激光纵向分布的影响 | 第92-93页 |
·HG1D与TDH1D的比较 | 第93页 |
·小结 | 第93-95页 |
第六章 几种X射线FEL方案的分析 | 第95-111页 |
·SASE-FEL模式 | 第95-98页 |
·级联HGHG-FEL模式 | 第98-99页 |
·级联HGHG-FEL的简化方案 | 第99-105页 |
·稳态计算与参数选择 | 第100-103页 |
·时域和频域计算 | 第103-105页 |
·HHG驱动的超短脉冲自由电子激光 | 第105-107页 |
·自种子SASE-FEL初步研究 | 第107-110页 |
·小结 | 第110-111页 |
第七章 级联HGHG Soft-XFEL参数设计 | 第111-150页 |
·级联型HGHG-FEL的参数优化 | 第111-126页 |
·级联HGHG-FEL与“fresh bunch”技术 | 第111-113页 |
·波荡器与电子束参数 | 第113-114页 |
·第一级HGHG-FEL的参数优化 | 第114-118页 |
·第二级HGHG-FEL的参数优化 | 第118-123页 |
·两级HGHG之间漂移段的设计 | 第123-125页 |
·分段间隙的考虑 | 第125-126页 |
·误差分析 | 第126-131页 |
·电子束偏差 | 第126-129页 |
·磁铁装置误差 | 第129-130页 |
·种子激光功率偏差 | 第130-131页 |
·Slart to End 模拟与依赖于时间的计算 | 第131-136页 |
·第一级HGHG-FEL | 第131-133页 |
·第二级HGHG-FEL | 第133-136页 |
·光场模式的简单分析 | 第136-137页 |
·波荡器和色散段磁铁设计 | 第137-143页 |
·波荡器磁场设计 | 第137-141页 |
·色散段磁场的设计 | 第141-143页 |
·滑移效应对于短脉冲种子激光驱动的高次谐波放大器辐射的影响 | 第143-149页 |
·理论分析 | 第144-145页 |
·算例分析 | 第145-149页 |
·小结 | 第149-150页 |
第八章 储存环插入元件长波长辐射 | 第150-170页 |
·插入元件长波长辐射的理论 | 第150-160页 |
·波荡器渡越辐射 | 第151-156页 |
·扭摆磁铁长波长辐射理论推导 | 第156-160页 |
·合肥同步辐射装置超导扭摆磁铁的长波长辐射计算 | 第160-163页 |
·合肥同步辐射装置光学速调管的长波长辐射计算 | 第163-164页 |
·合肥同步辐射装置超导扭摆磁铁和弯转磁铁长波辐射比较 | 第164-167页 |
·辐射强度比较 | 第164-166页 |
·辐射通量比较 | 第166-167页 |
·弯转磁铁边沿辐射 | 第167页 |
·小结 | 第167-170页 |
结束语 | 第170-172页 |
参考文献 | 第172-175页 |
致谢 | 第175页 |