两步法制备太阳能电池吸收层SnS薄膜及其性能的研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-13页 |
| ·研究太阳能电池吸收层SnS 薄膜的意义 | 第8-10页 |
| ·SnS 的性质 | 第10页 |
| ·SnS 薄膜的国内外研究动态 | 第10-12页 |
| ·目前SnS 薄膜研究中存在的问题 | 第12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 薄膜材料的制备方法 | 第13-25页 |
| ·薄膜的物理气相沉积 | 第13-19页 |
| ·蒸发法 | 第13-16页 |
| ·元素的蒸发速率 | 第14页 |
| ·化合物与合金的蒸发 | 第14-15页 |
| ·薄膜沉积的厚度均匀性和纯度 | 第15页 |
| ·真空蒸发装置 | 第15-16页 |
| ·溅射法 | 第16-19页 |
| ·气体放电现象的描述 | 第16-17页 |
| ·溅射法的优点 | 第17-18页 |
| ·溅射法的分类 | 第18-19页 |
| ·其它物理气相沉积法 | 第19页 |
| ·薄膜的化学气相沉积 | 第19-22页 |
| ·化学气相反应的沉积类型 | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积装置 | 第21-22页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第22-23页 |
| ·新相的自发形核和非自发形核 | 第22页 |
| ·连续薄膜的形成 | 第22-23页 |
| ·薄膜中的应力和附着力 | 第23-25页 |
| ·热应力和生长应力 | 第23页 |
| ·薄膜界面附着力 | 第23-25页 |
| 第三章 SnS 薄膜的制备 | 第25-30页 |
| ·试验设备及原料 | 第25页 |
| ·试验设备 | 第25页 |
| ·实验原料 | 第25页 |
| ·SnS 薄膜的制备 | 第25-30页 |
| ·基片的清洗 | 第25-26页 |
| ·清洗方法的选择 | 第25-26页 |
| ·玻璃基片的清洗过程 | 第26页 |
| ·锡膜的制备 | 第26-27页 |
| ·锡膜的硫化处理 | 第27-30页 |
| 第四章 SnS 薄膜的结构和成分的研究 | 第30-47页 |
| ·薄膜材料的表征方法 | 第30-32页 |
| ·薄膜附着力的测量方法 | 第30页 |
| ·薄膜结构的表征方法 | 第30-32页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第31页 |
| ·X 射线衍射方法 | 第31-32页 |
| ·薄膜成分的表征方法 | 第32页 |
| ·薄膜的附着力与衬底温度和硫化温度及时间的关系 | 第32-33页 |
| ·硫化温度和时间对薄膜物相结构的影响 | 第33-41页 |
| ·硫化温度对薄膜物相结构的影响 | 第33-38页 |
| ·硫化时间对薄膜物相结构的影响 | 第38-41页 |
| ·SnS 薄膜的晶格常数的计算 | 第41-42页 |
| ·硫化温度和时间对薄膜表面形貌的影响 | 第42-44页 |
| ·硫化温度对薄膜表面形貌的影响 | 第42-43页 |
| ·硫化时间对薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| ·硫化温度和时间对薄膜成分的影响 | 第44-46页 |
| ·硫化温度对薄膜成分的影响 | 第44-45页 |
| ·硫化时间对薄膜成分的影响 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第五章 SnS 薄膜光电性能的研究 | 第47-59页 |
| ·SnS 薄膜的光学性能 | 第47-56页 |
| ·基本理论 | 第47-48页 |
| ·硫化温度对薄膜光学性能的影响 | 第48-53页 |
| ·硫化时间对薄膜光学性能的影响 | 第53-56页 |
| ·SnS 薄膜的电学性能 | 第56-58页 |
| ·四探针法 | 第56-58页 |
| ·硫化温度和时间对薄膜电学性能的影响 | 第58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简历 | 第64页 |
