| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-12页 |
| 图录 | 第12-17页 |
| 表录 | 第17-18页 |
| 主要符号对照表 | 第18-21页 |
| 第1章 绪论 | 第21-43页 |
| ·研究动机 | 第21-30页 |
| ·无线通信射频前端结构的发展 | 第21-23页 |
| ·无线通信对双工器和射频滤波器的指标要求 | 第23-26页 |
| ·现有射频滤波器解决方案的比较及论文的研究动机 | 第26-30页 |
| ·FBAR技术的国内外研究现状与进展 | 第30-40页 |
| ·FBAR技术的发展历史、现状、趋势及市场前景 | 第30-34页 |
| ·目前FBAR技术的主要研究方向 | 第34-39页 |
| ·现行主流的FBAR结构与工艺 | 第34-37页 |
| ·适合于FBAR的压电材料选择 | 第37-38页 |
| ·FBAR技术在建模、工艺及应用领域的最新研究进展 | 第38-39页 |
| ·国内FBAR技术的研究现状与产业化面临的几个关键难题 | 第39-40页 |
| ·论文的研究内容和章节安排 | 第40-43页 |
| ·论文的研究内容 | 第40-41页 |
| ·论文的章节安排 | 第41-43页 |
| 第一部分 FBAR器件建模与分析 | 第43-101页 |
| 第2章 FBAR的平面声波传输特性与电学性能分析 | 第43-69页 |
| ·普通弹性体中的声场与波 | 第43-47页 |
| ·普通弹性体中的声学方程 | 第43-45页 |
| ·FBAR中常见普通弹性材料的声学属性 | 第45页 |
| ·普通弹性体中的平面声波传输 | 第45-47页 |
| ·压电体中的声场与波 | 第47-57页 |
| ·压电现象及压电方程 | 第47-49页 |
| ·AlN的声学属性 | 第49-50页 |
| ·理想FBAR中的平面声波传输 | 第50-57页 |
| ·理想FBAR的电学阻抗特性 | 第57-62页 |
| ·理想FBAR的电学阻抗解析表达式 | 第57-58页 |
| ·理想FBAR的电学特性分析 | 第58-60页 |
| ·谐振现象的物理解释 | 第60-62页 |
| ·复合FBAR的电学阻抗特性 | 第62-65页 |
| ·复合FBAR的电学阻抗解析表达式 | 第62-64页 |
| ·复合FBAR的电学阻抗特性 | 第64-65页 |
| ·FBAR中的损耗 | 第65-66页 |
| ·机械损耗 | 第65-66页 |
| ·电学损耗 | 第66页 |
| ·FBAR的优值 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第3章 FBAR器件的建模 | 第69-101页 |
| ·FBAR的普适解析等效电路模型 | 第69-73页 |
| ·压电体的Mason等效电路 | 第69-70页 |
| ·普通声学材料的等效电路 | 第70-71页 |
| ·FBAR的普适解析电路模型 | 第71-72页 |
| ·CMOS寄生效应和参数的加入 | 第72-73页 |
| ·FBAR在谐振点附近的近似等效电路模型 | 第73-82页 |
| ·BVD模型 | 第73-78页 |
| ·MBVD模型 | 第78-81页 |
| ·MBVD模型参数的提取 | 第81-82页 |
| ·FBAR的ADS仿真库建立 | 第82-88页 |
| ·Agilent ADS软件简介 | 第82页 |
| ·FBAR中各声学材料的属性值 | 第82-83页 |
| ·压电薄膜层的ADS库 | 第83-85页 |
| ·普通声学层的ADS库 | 第85页 |
| ·MBVD模型的ADS库 | 第85-86页 |
| ·采用ADS仿真FBAR的阻抗特性 | 第86-88页 |
| ·电极和压电薄膜属性对FBAR性能的影响 | 第88-93页 |
| ·压电材料的影响 | 第88-89页 |
| ·电极材料的影响 | 第89-90页 |
| ·电极厚度的影响 | 第90-91页 |
| ·支撑层的影响 | 第91页 |
| ·电极面积的影响 | 第91-92页 |
| ·损耗的影响 | 第92-93页 |
| ·FBAR电磁场模型 | 第93-95页 |
| ·FBAR等效介电常数的推导 | 第93-95页 |
| ·三维电磁场仿真软件简介 | 第95页 |
| ·模型准确性的验证 | 第95-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 第二部分 AlN薄膜的制备 | 第101-145页 |
| 第4章 快速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺研究 | 第101-145页 |
| ·实验用镀膜系统简介 | 第101-103页 |
| ·直流磁控反应溅射制备AlN薄膜的研究 | 第103-110页 |
| ·制备AlN薄膜的工艺条件 | 第103页 |
| ·不同工艺条件对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第103-106页 |
| ·氮气分压对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第104页 |
| ·溅射功率对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第104-105页 |
| ·影响AlN薄膜沉积速率的因素的讨论 | 第105-106页 |
| ·AlN薄膜样品的XRD分析 | 第106-109页 |
| ·AlN薄膜样品的XRD图 | 第106-108页 |
| ·XRD衍射图讨论 | 第108-109页 |
| ·样品晶面间距变化 | 第109页 |
| ·直流磁控反应溅射制备AlN薄膜工艺的总结 | 第109-110页 |
| ·反应溅射中反应气体的控制方法与工艺优化设想的提出 | 第110-112页 |
| ·反应气体的气体流量控制法 | 第110-111页 |
| ·反应气体的气体分压控制法 | 第111页 |
| ·工艺优化设想的提出 | 第111-112页 |
| ·反应溅射的理论分析 | 第112-129页 |
| ·反应溅射工艺模型的建立 | 第112-120页 |
| ·模型的定义 | 第112-113页 |
| ·腔内反应气体的气体通量 | 第113页 |
| ·靶面情况分析 | 第113-114页 |
| ·基片情况分析 | 第114-115页 |
| ·沉积速率 | 第115-116页 |
| ·二次电子发射系数的影响 | 第116页 |
| ·基片温度的影响 | 第116页 |
| ·以反应气体分压作控制量建模 | 第116-118页 |
| ·以反应气体的流量作控制量建模 | 第118-120页 |
| ·工艺参数对迟滞曲线的影响 | 第120-127页 |
| ·迟滞现象产生的原因 | 第120-122页 |
| ·系统抽速对迟滞曲线的影响 | 第122页 |
| ·靶功率对迟滞曲线的影响 | 第122-123页 |
| ·靶基距对迟滞曲线的影响 | 第123-124页 |
| ·靶面面积对迟滞曲线的影响 | 第124-125页 |
| ·基片温度对迟滞曲线的影响 | 第125-126页 |
| ·靶面温度对迟滞曲线的影响 | 第126页 |
| ·二次电子发射系数对阴极电压的影响 | 第126-127页 |
| ·反应溅射理论模型的总结与实验系统的改进 | 第127-129页 |
| ·射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的研究 | 第129-140页 |
| ·AlN薄膜的c轴择优取向研究 | 第129-135页 |
| ·典型试样的工艺条件 | 第130页 |
| ·典型试样的XRD衍射图 | 第130-133页 |
| ·工作气压对AlN薄膜c轴择优取向的影响 | 第133-134页 |
| ·靶基距对AlN薄膜c轴择优取向的影响 | 第134页 |
| ·溅射功率对AlN薄膜c轴择优取向的影响 | 第134页 |
| ·基片温度对AlN薄膜c轴择优取向的影响 | 第134页 |
| ·基片种类对AlN薄膜c轴择优取向的影响 | 第134-135页 |
| ·氩氮比对AlN薄膜c轴择优取向的影响 | 第135页 |
| ·各种工艺参数对AlN薄膜c轴择优取向影响的总结 | 第135页 |
| ·快速沉积c轴择优取向AlN薄膜的优化工艺参数 | 第135-136页 |
| ·优化的工艺流程 | 第136-138页 |
| ·优化工艺制得样品的SEM图 | 第138-140页 |
| ·工艺过程中的一些失败经验 | 第140-142页 |
| ·基片接地不良 | 第140-141页 |
| ·靶面打弧 | 第141-142页 |
| ·本章小结 | 第142-145页 |
| 第三部分 薄膜材料微波复介电常数的测量与评价 | 第145-159页 |
| 第5章 AlN薄膜的微波复介电常数测量 | 第145-159页 |
| ·传统的微波复介电常数测量方法 | 第145-146页 |
| ·非谐振法 | 第145-146页 |
| ·谐振法 | 第146页 |
| ·基于谐振腔的微扰法测试系统的基本理论分析 | 第146-151页 |
| ·实际测量装置的设计和实现 | 第151-154页 |
| ·测量装置的构成 | 第151-153页 |
| ·测量方法 | 第153-154页 |
| ·测试结果及误差分析 | 第154-157页 |
| ·实验测量数据 | 第154-156页 |
| ·误差分析 | 第156-157页 |
| ·测量中的注意事项与系统改进方案 | 第157页 |
| ·本章小结 | 第157-159页 |
| 第四部分 FBAR器件的设计与实现 | 第159-191页 |
| 第6章 FBAR滤波器的设计方法 | 第159-173页 |
| ·各种FBAR滤波器结构 | 第159-163页 |
| ·阶梯型滤波器 | 第159-161页 |
| ·网格型滤波器 | 第161-163页 |
| ·叠层型滤波器和耦合型滤波器 | 第163页 |
| ·单个FBAR频率的微调 | 第163页 |
| ·FBAR滤波器的设计方法 | 第163-166页 |
| ·WCDMA零中频Rx滤波器设计 | 第166-167页 |
| ·为什么需要零中频方案 | 第166页 |
| ·滤波器设计指标 | 第166页 |
| ·滤波器的结构设计 | 第166-167页 |
| ·仿真结果与分析 | 第167页 |
| ·WCDMA零中频Rx平衡滤波器的设计 | 第167-170页 |
| ·为什么需要平衡滤波器 | 第167-168页 |
| ·滤波器结构设计 | 第168页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第168-170页 |
| ·本章小结 | 第170-173页 |
| 第7章 FBAR器件的制备与性能测试 | 第173-189页 |
| ·不同结构FBAR制备工艺的比较 | 第173-181页 |
| ·空气隙型FBAR的制备工艺 | 第173-174页 |
| ·制备流程 | 第173-174页 |
| ·Agilent HPMD-7904 FBAR双工器的实物剖析 | 第174页 |
| ·固念装配型FBAR的制备工艺 | 第174-177页 |
| ·硅反面刻蚀型FBAR的制备工艺 | 第177-181页 |
| ·制备流程 | 第177-178页 |
| ·光刻掩模版 | 第178-181页 |
| ·高模FBAR原型器件的制备与测试 | 第181-187页 |
| ·选择高模FBAR作为原型器件的原因 | 第181-182页 |
| ·高模FBAR的结构示意图 | 第182-183页 |
| ·实际大尺寸高模FBAR的制备 | 第183-185页 |
| ·测量结果与讨论 | 第185-187页 |
| ·本章小结 | 第187-189页 |
| 第8章 总结与展望 | 第189-191页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第189-190页 |
| ·论文的主要创新点 | 第190页 |
| ·论文的不足之处和将来的工作 | 第190-191页 |
| 参考文献 | 第191-201页 |
| 致谢 | 第201-203页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第203-204页 |
