碳纳米管模板法制备SiC纳米线的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SiC 纳米线的制备研究现状 | 第9-13页 |
| ·基于VLS 生长机制的制备方法 | 第9-11页 |
| ·基于SLS 生长机制的制备方法 | 第11-12页 |
| ·基于氧化物辅助生长机制的制备方法 | 第12页 |
| ·模板法 | 第12-13页 |
| ·SiC 纳米线的生长控制 | 第13-14页 |
| ·直径控制 | 第13-14页 |
| ·方向控制 | 第14页 |
| ·位置控制 | 第14页 |
| ·SiC 纳米线制备中面临的问题 | 第14-15页 |
| ·本文研究的主要内容及实验路线 | 第15-17页 |
| ·主要研究内容 | 第15页 |
| ·实验路线 | 第15-17页 |
| 第二章 碳纳米管的制备及表征 | 第17-45页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·碳纳米管的制备研究进展 | 第18-23页 |
| ·电弧放电法 | 第18-19页 |
| ·激光烧蚀法 | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积法 | 第20-23页 |
| ·什么是化学气相沉积法 | 第20页 |
| ·生长机制 | 第20-21页 |
| ·等离子增强CVD | 第21-23页 |
| ·碳纳米管的制备及表征 | 第23-44页 |
| ·实验方案 | 第23-31页 |
| ·催化剂的制备 | 第24页 |
| ·纳米管的制备 | 第24-26页 |
| ·纳米管形貌 | 第26-27页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第27页 |
| ·Raman 光谱 | 第27-28页 |
| ·成分分析 | 第28-31页 |
| ·不同工艺参数对CNTs 的影响 | 第31-44页 |
| ·催化剂厚度 | 第31-32页 |
| ·预处理 | 第32-34页 |
| ·生长时间 | 第34-35页 |
| ·气压 | 第35-36页 |
| ·不同衬底 | 第36-38页 |
| ·电源功率 | 第38-39页 |
| ·退火对碳纳米管的影响 | 第39-42页 |
| ·螺旋状碳纳米管 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 SiC 线的制备及表征 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·SiC 纳米线的制备 | 第45-46页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第45页 |
| ·SiC 纳米线的制备 | 第45-46页 |
| ·SiC 纳米线的结构与形貌 | 第46-54页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第46-47页 |
| ·X 光电子谱分析 | 第47-49页 |
| ·Raman 光散射谱分析 | 第49-50页 |
| ·SEM 表面形貌 | 第50-52页 |
| ·从碳纳米管到SiC 纳米线的变化 | 第52-54页 |
| ·不同工艺参数的影响 | 第54-58页 |
| ·退火温度 | 第54-55页 |
| ·退火时间 | 第55-56页 |
| ·Si 覆盖量 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 碳纳米管及SiC 纳米线的场致电子发射 | 第59-71页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·碳纳米管及SiC 纳米线的场致电子发射性质 | 第59-70页 |
| ·场致电子发射基本理论 | 第59-62页 |
| ·场致电子发射测试设备及工作原理 | 第62页 |
| ·场致电子发射 | 第62-70页 |
| ·碳纳米管的场致电子发射 | 第63-68页 |
| ·SiC 纳米线的场致电子发射 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| ⑴ 碳纳米管的制备 | 第71页 |
| ⑵ SiC纳米线的制备 | 第71-72页 |
| ⑶ 碳纳米管及SiC纳米线的场致电子发射 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
