| 第一章 文献综述 | 第1-35页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·钌基氨合成催化剂 | 第13-15页 |
| ·载体 | 第15-20页 |
| ·氧化物载体 | 第16-19页 |
| ·沸石分子筛 | 第19页 |
| ·活性炭 | 第19-20页 |
| ·炭素材料 | 第20-28页 |
| ·炭素材料固体结构理论的发展 | 第20-23页 |
| ·炭素材料中碳原子的电子排布和轨道杂化 | 第23-25页 |
| ·碳的同素异性体 | 第25-27页 |
| ·碳的相图 | 第27-28页 |
| ·活性炭的甲烷化 | 第28-32页 |
| ·钌基氨合成催化剂的氢抑制作用 | 第32-33页 |
| ·论文选题与目的 | 第33-35页 |
| 第二章 实验部分 | 第35-45页 |
| ·主要仪器设备及试剂 | 第35-36页 |
| ·催化剂的制备 | 第36-37页 |
| ·催化剂的活性评价 | 第37-38页 |
| ·色谱保留参数的测定 | 第38-39页 |
| ·活性炭的甲烷化(TPR)实验 | 第39-41页 |
| ·氢吸附量的测定(TPD) | 第41页 |
| ·催化剂甲烷化的原位红外光谱实验(IN-SUIT H_2-TPR-FTIR) | 第41-42页 |
| ·分散度 | 第42-43页 |
| ·比表面和孔隙 | 第43-44页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第44页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第44-45页 |
| 第三章 不同基质活性炭对甲烷化反应的影响 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·活性炭的表面形貌 | 第45-47页 |
| ·活性炭的基本物理化学性质对甲烷化的影响 | 第47-51页 |
| ·活性炭的纯度对甲烷化的影响 | 第47-48页 |
| ·活性炭的晶体结构对甲烷化的影响 | 第48-49页 |
| ·活性炭的表面织构对甲烷化的影响 | 第49-51页 |
| ·活性炭的预处理对甲烷化的影响 | 第51-53页 |
| ·硝酸处理 | 第51-52页 |
| ·微波处理 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 助剂对活性炭甲烷化反应的抑制作用 | 第55-69页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·助剂对甲烷化反应的抑制作用 | 第55-62页 |
| ·碱金属、碱土金属 | 第56-58页 |
| ·稀土氧化物 | 第58-61页 |
| ·过渡金属 | 第61-62页 |
| ·助剂的浸渍顺序 | 第62-63页 |
| ·催化剂IN-SUIT H_2-TPR-FTIR表征 | 第63-64页 |
| ·催化剂的XRD表征 | 第64-66页 |
| ·甲烷化反应活化能 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 制备条件对活性炭甲烷化的影响 | 第69-84页 |
| ·前言 | 第69页 |
| ·浸渍过程的影响 | 第69-76页 |
| ·溶剂的影响 | 第69-70页 |
| ·浸渍液pH值的影响 | 第70-71页 |
| ·浸渍时间的影响 | 第71-74页 |
| ·浸渍方式的影响 | 第74页 |
| ·浸渍次数的影响 | 第74-76页 |
| ·RUCL_3还原条件的影响 | 第76-81页 |
| ·RuCl_3的还原温度 | 第76-78页 |
| ·RuCl_3的还原时间 | 第78-80页 |
| ·RuCl_3还原气的空速 | 第80-81页 |
| ·催化剂干燥方式的影响 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 氢吸附与活性炭甲烷化的关系 | 第84-90页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·氢吸附强度对甲烷化反应的影响 | 第84-85页 |
| ·氢吸附量对甲烷化反应的影响 | 第85-86页 |
| ·H_2-TPD-MS测试 | 第86-89页 |
| ·氢吸附物种 | 第89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第七章 活性炭甲烷化反应机理分析 | 第90-95页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·碳甲烷化反应热力学分析 | 第90页 |
| ·活性炭甲烷化反应机理及速控步骤分析 | 第90-93页 |
| ·氢的吸附与解离 | 第91-92页 |
| ·价键不饱和碳的加氢 | 第92页 |
| ·C-CH3之间σ键断裂 | 第92页 |
| ·甲烷的扩散 | 第92-93页 |
| ·活性炭甲烷化反应机理的实验依据 | 第93-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第八章 结论 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-112页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |