摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-12页 |
第一章 绪论 | 第12-50页 |
·材料科学与工程的四要素 | 第12-14页 |
·材料设计概述 | 第14-27页 |
·材料设计的概念 | 第14-15页 |
·材料设计的研究思想 | 第15-19页 |
·协同论与系统论思想 | 第16页 |
·“模型化”思想与“广义态变量”方法 | 第16-17页 |
·微结构跨尺度模拟与模拟集成化思想 | 第17-18页 |
·统一设计与闭环设计思想 | 第18-19页 |
·材料设计的研究方法 | 第19-27页 |
·材料设计的发展趋势 | 第27页 |
·C/SiC复合材料概述 | 第27-30页 |
·C/SiC的计算机模拟研究 | 第30-36页 |
·C/SiC制备过程模拟 | 第30-34页 |
·基体与界面的CVI制备过程模拟 | 第30-31页 |
·表面涂层的CVD制备过程模拟 | 第31-34页 |
·C/SiC服役过程模拟 | 第34-36页 |
·本文的选题依据、研究目的、研究内容和技术路线 | 第36-41页 |
·选题依据 | 第36-38页 |
·研究目的 | 第38页 |
·研究内容 | 第38页 |
·技术路线 | 第38-40页 |
·研究方法 | 第40-41页 |
参考文献 | 第41-50页 |
第二章 CVI与CVD工艺过程模拟 | 第50-90页 |
·CVI过程模拟的实验基础 | 第50-52页 |
·CVI过程模拟的理论基础 | 第52-64页 |
·气体扩散模型 | 第52-54页 |
·反应动力学 | 第54-55页 |
·传质模型 | 第55页 |
·预制体的孔隙结构建模 | 第55-58页 |
·CVI过程模拟的“两步三阶段法” | 第58-61页 |
·CVI反应室的流场模型 | 第61-64页 |
·CVI工艺过程模拟结果与讨论 | 第64-74页 |
·制备温度对CVI致密化过程的影响 | 第64-67页 |
·制备压力对CVI致密化过程的影响 | 第67-70页 |
·预制体厚度尺寸对CVI致密化过程的影响 | 第70-74页 |
·构件表面CVD-SiC涂层质量控制 | 第74-81页 |
·CVD过程模拟的实验基础 | 第74-75页 |
·倾斜平板上的质量传输 | 第75-77页 |
·模拟结果与讨论 | 第77-81页 |
·软计算在CVI工艺过程模拟中的应用 | 第81-86页 |
·构件排布优化准则 | 第81-82页 |
·构件排布优化方法 | 第82-85页 |
·构件排布优化结果 | 第85-86页 |
·本章小结 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-90页 |
第三章 C/SiC服役环境性能模拟 | 第90-104页 |
·C/SiC在热物理化学环境中的性能模拟 | 第90-93页 |
·基本模型 | 第90-91页 |
·C/SiC的相对重量变化与混合气氛的关系 | 第91-93页 |
·C/SiC的相对重量变化与涂层层数的关系 | 第93页 |
·模型的应用 | 第93-96页 |
·涂层层数与复合材料相对重量变化的关系 | 第93-95页 |
·不同环境对复合材料环境行为的影响 | 第95-96页 |
·软计算在C/SiC服役环境性能模拟中的应用 | 第96-102页 |
·模糊规则及其依据 | 第96-99页 |
·模拟结果与讨论 | 第99-102页 |
·本章小结 | 第102-103页 |
参考文献 | 第103-104页 |
第四章 C/SiC制备过程产物的热力学计算 | 第104-133页 |
·热化学数据的获取 | 第104-112页 |
·化学热力学 | 第104-106页 |
·利用量子化学计算获取热化学数据 | 第106-112页 |
·CVI与CVD工艺过程沉积产物的热力学计算 | 第112-131页 |
·热力学数据的计算与验证 | 第112-119页 |
·沉积产物计算与工艺参数优选 | 第119-131页 |
·制备温度对沉积产物的影响 | 第119-124页 |
·气体流量对沉积产物的影响 | 第124-127页 |
·制备压力对沉积产物的影响 | 第127-131页 |
·本章小结 | 第131-132页 |
参考文献 | 第132-133页 |
第五章 C/SiC服役过程产物的热力学计算 | 第133-170页 |
·热力学数据的计算与验证 | 第133-139页 |
·服役产物热力学计算 | 第139-168页 |
·C/SiC在干氧环境中的氧化特征 | 第139-143页 |
·C/SiC在水蒸气环境中的氧化特征 | 第143-149页 |
·C/SiC在湿氧环境中的腐蚀特征 | 第149-156页 |
·C/SiC在硫酸钠环境中的腐蚀特征 | 第156-161页 |
·C/SiC在湿氧和硫酸钠耦合环境中的氧化与腐蚀特征 | 第161-168页 |
·本章小结 | 第168-169页 |
参考文献 | 第169-170页 |
第六章 C/SiC复合材料设计软件系统的建立 | 第170-187页 |
·“两要素”材料设计原理与模型 | 第170-175页 |
·“两要素”原理用于材料设计软件研发 | 第175-179页 |
·“两要素”原理对材料设计软件的评价 | 第175-177页 |
·材料设计软件研发的流程 | 第177-179页 |
·C/SiC复合材料的“两要素”材料设计原理 | 第179-180页 |
·软件实现 | 第180-184页 |
·本章小结 | 第184-186页 |
参考文献 | 第186-187页 |
结论 | 第187-189页 |
存在的问题及进一步的工作 | 第189-191页 |
附录1 程序说明 | 第191-192页 |
附录2 攻读博士学位期间论文发表情况 | 第192-194页 |
致谢 | 第194-196页 |
西北工业大学学位论文知识产权声明书 | 第196页 |
西北工业大学学位论文原创性声明 | 第196页 |