| 摘要: | 第1-5页 |
| Abstrate: | 第5-7页 |
| 第一章 前沿 | 第7-11页 |
| ·研究以硅带为衬底制备多晶硅薄膜的现实意义 | 第7-9页 |
| ·以冶金级工业硅粉为原料的多晶硅颗粒硅带(SSP) | 第9-10页 |
| 参考文献 | 第10-11页 |
| 第二章 多晶硅薄膜及其制备工艺 | 第11-20页 |
| ·多晶硅薄膜的优越性 | 第11-14页 |
| ·单晶硅薄膜 | 第11-12页 |
| ·非晶硅薄膜 | 第12-13页 |
| ·多晶硅薄膜 | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜的制备工艺 | 第14-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第三章 多晶硅薄膜的结构、光电特性及制备的工艺参数 | 第20-28页 |
| ·多晶硅薄膜的结构和光电特性 | 第20-23页 |
| ·多晶硅薄膜的结构 | 第20-22页 |
| ·多晶硅薄膜的光电特性 | 第22-23页 |
| ·多晶硅薄膜的沉积参数 | 第23-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第四章 实验原理 | 第28-33页 |
| ·等离子体增强化学反应气相沉积(PECVD) | 第28-31页 |
| ·直流磁控溅射系统 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第五章 硅带上低温制备多晶硅薄膜 | 第33-44页 |
| ·实验过程 | 第33-42页 |
| ·衬底清洗 | 第34-35页 |
| ·PECVD系统中沉积薄膜 | 第35-38页 |
| ·磁控溅射法镀镍及其后处理 | 第38-40页 |
| ·结果分析 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第六章 金属诱导结晶的扩散诱导结晶理论模型 | 第44-52页 |
| ·理论模型 | 第44-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-49页 |
| ·诱导结晶速度与温度的关系 | 第47-48页 |
| ·横向结晶速度与覆盖金属半径的关系 | 第48-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 研究生期间发表(撰写)论文 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |