| 第一章 概述 | 第1-17页 |
| 1．1 铁电材料的性质及研究历史 | 第8-9页 |
| 1．2 SrTiO3材料的性质 | 第9-10页 |
| 1．3 SrTiO3薄膜的性质 | 第10-13页 |
| 1．4 可电压调谐微波器件的实现方案 | 第13-14页 |
| 1．5 STO与YBCO集成薄膜及其应用研究现状 | 第14-17页 |
| 第二章 实验方法 | 第17-29页 |
| 2．1 薄膜沉积的工艺方法 | 第17-21页 |
| 2．1．1 PLD技术的特点和优势 | 第17-18页 |
| 2．1．2 PLD原理 | 第18-21页 |
| 2．2 基片选择及清洗 | 第21页 |
| 2．2．1 基片选择 | 第21页 |
| 2．2．2 基片清洗工艺 | 第21页 |
| 2．3 微观分析方法 | 第21-26页 |
| 2．3．1 扫描电子显微镜的工作原理 | 第22页 |
| 2．3．2 AFM的工作原理 | 第22-23页 |
| 2．3．3 X射线衍射原理 | 第23-26页 |
| 2．4 电性能测试方法 | 第26-29页 |
| 2．4．1 YBCO超导转变特性测试方法 | 第26页 |
| 2．4．2 STO薄膜介电性质的测量 | 第26-29页 |
| 第三章 靶材制备 | 第29-37页 |
| 3．1 实验过程 | 第29-36页 |
| 3．2 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 YBCO薄膜的PLD生长研究 | 第37-43页 |
| 4．1 工艺参数对YBCO薄膜生长的影响 | 第37-41页 |
| 4．1．1 基片温度对于YBCO薄膜的影响 | 第37页 |
| 4．1．2 基片温度对于YBCO薄膜的影响 | 第37-38页 |
| 4．1．3 氧分压对于YBCO薄膜的影响 | 第38-40页 |
| 4．1．4 脉冲重复频率对于YBCO薄膜的影响 | 第40-41页 |
| 4．2 YBCO薄膜的PLD生长研究 | 第41-42页 |
| 4．3 小结 | 第42-43页 |
| 第五章 STO薄膜的PLD生长研究 | 第43-56页 |
| 5．1 激光能量密度对STO薄膜的影响 | 第43-45页 |
| 5．2 基片温度对STO薄膜的影响 | 第45-47页 |
| 5．2．1 基片温度对STO薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| 5．2．2 基片温度对STO薄膜结晶性能的影响 | 第46-47页 |
| 5．3 氧分压对STO薄膜的影响 | 第47-48页 |
| 5．4 基片表面状态对STO薄膜的影响 | 第48-51页 |
| 5．4．1 基片表面状态对STO薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 5．4．2 不同基片对STO薄膜表面形貌的影响 | 第49-51页 |
| 5．5 退火时间对STO薄膜的影响 | 第51-53页 |
| 5．6 沉积时间对STO薄膜表面形貌的影响 | 第53-54页 |
| 5．7 脉冲重复频率对STO薄膜表面形貌的影响 | 第54页 |
| 5．8 靶基距对STO薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| 5．9 小结 | 第55-56页 |
| 第六章 STO/YBCO集成薄膜的生长 | 第56-67页 |
| 6．1 STO/YBCO多层薄膜的微观结构 | 第56-58页 |
| 6．2 STO膜的介电性质研究 | 第58-66页 |
| 6．2．1 平板电容结构下STO膜的介电性质研究 | 第58-62页 |
| 6．2．2 叉指电容结构下STO膜的介电性质研究 | 第62-66页 |
| 6．3 小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71页 |