| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1．1 论文研究的目的和意义 | 第10-12页 |
| 1．2 论文国内外的研究现状 | 第12-16页 |
| 1．2．1 合成绝缘子的憎水性 | 第13-15页 |
| 1．2．2 合成绝缘子的电场计算现状 | 第15-16页 |
| 1．3 论文研究的主要内容 | 第16页 |
| 1．4 小结 | 第16-17页 |
| 2 电场计算中的模拟电荷法 | 第17-26页 |
| 2．1 模拟电荷法的基本原理 | 第17-20页 |
| 2．1．1 单一介质的情况 | 第17-18页 |
| 2．1．2 多种介质的情况 | 第18-19页 |
| 2．1．3 交流电压下分界面存在电流时的情况 | 第19-20页 |
| 2．2 模拟电荷的计算公式 | 第20-22页 |
| 2．3 模拟电荷方程及计算方法 | 第22-24页 |
| 2．3．1 模拟电荷方程 | 第22-24页 |
| 2．3．2 模拟电荷法的计算步骤及程序流程图 | 第24页 |
| 2．4 小结 | 第24-26页 |
| 3 合成绝缘子的沿面电场分布 | 第26-47页 |
| 3．1 清洁状况下计算模型的建立 | 第26-28页 |
| 3．1．1 光滑硅橡胶杆计算模型的建立 | 第26-27页 |
| 3．1．2 10 kV合成绝缘子计算模型的建立 | 第27-28页 |
| 3．2 污秽状况下计算模型的建立 | 第28-32页 |
| 3．2．1 模拟电荷法处理包含表面电阻的电场的处理方法 | 第28页 |
| 3．2．2 污秽的等效 | 第28-29页 |
| 3．2．3 边界条件的处理及模型的建立[35] | 第29-32页 |
| 3．3 清洁状况下合成绝缘子电场分布 | 第32-35页 |
| 3．3．1 清洁状况下光滑硅橡胶杆电场分布 | 第32-33页 |
| 3．3．2 清洁状况下10kV合成绝缘子电场分布 | 第33-35页 |
| 3．4 染污情况下合成绝缘子的电场分布 | 第35-43页 |
| 3．4．1 污层干燥时的电场分布 | 第35页 |
| 3．4．2 污层均匀湿润时的电场分布 | 第35-38页 |
| 3．4．3 出现干燥带后的电场分布 | 第38-42页 |
| 3．4．4 污秽程度对10kV合成绝缘子电场分布的影响 | 第42-43页 |
| 3．5 10 kV合成绝缘子清洁时电位分布的实测 | 第43-45页 |
| 3．5．1 测试电路及方法 | 第43-44页 |
| 3．5．2 实测结果及分析 | 第44-45页 |
| 3．6 小结 | 第45-47页 |
| 4 合成绝缘子憎水性变化因素分析 | 第47-54页 |
| 4．1 合成绝缘子憎水性及其评价方法 | 第47-50页 |
| 4．1．1 合成绝缘子的憎水性特点 | 第47页 |
| 4．1．2 合成绝缘子憎水性的评价方法[10,11] | 第47-50页 |
| 4．2 影响合成绝缘子憎水性的因素分析 | 第50-53页 |
| 4．2．1 浸泡时间及浸泡溶液pH值对合成绝缘子憎水性的影响 | 第50-51页 |
| 4．2．2 盐密对合成绝缘子憎水性迁移的影响 | 第51-52页 |
| 4．2．3 灰密对合成绝缘子憎水性迁移的影响 | 第52-53页 |
| 4．3 小结 | 第53-54页 |
| 5 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 附：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |
