大功率半导体器件在脉冲放电环境下的导通机理及其温度特性的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·课题研究的背景 | 第9-10页 |
| ·电磁发射技术概述 | 第10-14页 |
| ·电磁发射的特点及发展状况 | 第10-12页 |
| ·脉冲功率源技术的发展与现状 | 第12-14页 |
| ·功率半导体器件的发展现状 | 第14-16页 |
| ·论文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 脉冲功率源装置 | 第17-26页 |
| ·脉冲功率源 | 第17-20页 |
| ·概述 | 第17-18页 |
| ·脉冲功率源实验装置 | 第18-19页 |
| ·脉冲功率源关键技术 | 第19-20页 |
| ·脉冲成形网络 | 第20-22页 |
| ·概述 | 第20-21页 |
| ·工作原理 | 第21-22页 |
| ·大功率器件技术 | 第22-25页 |
| ·脉冲成形电感技术 | 第22-23页 |
| ·大功率硅堆技术 | 第23-24页 |
| ·主放电开关技术 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 大功率可控硅的导通机理及特性分析 | 第26-40页 |
| ·大功率可控硅的通态模型 | 第26-28页 |
| ·大功率可控硅的无电流状态 | 第28-30页 |
| ·大功率可控硅的阻断特性 | 第30-31页 |
| ·反向阻断特性 | 第30-31页 |
| ·正向阻断特性 | 第31页 |
| ·大功率可控硅的通态特性 | 第31-34页 |
| ·瞬时通态特性 | 第31-32页 |
| ·大功率可控硅的通态电流及电压 | 第32页 |
| ·大功率可控硅的功率损耗及浪涌电流 | 第32-34页 |
| ·大功率可控硅的动态过程 | 第34-36页 |
| ·大功率可控硅在浪涌环境下的承受能力 | 第36-38页 |
| ·承受电流上升率的能力 | 第36-37页 |
| ·承受电压上升率的能力 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 4 大功率半导体器件的动态特性研究 | 第40-51页 |
| ·测试参数 | 第40页 |
| ·实验设计和测试方法 | 第40-45页 |
| ·高压大电流测量技术 | 第40-41页 |
| ·测试方法的选取 | 第41-44页 |
| ·实验电路设计 | 第44-45页 |
| ·测试装置 | 第45-46页 |
| ·实验数据记录与分析 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 大功率半导体器件的温度特性分析 | 第51-63页 |
| ·大功率半导体器件的失效模式 | 第51-53页 |
| ·大功率器件使用中常见外应力及其来源 | 第53-55页 |
| ·测试方法的选取和设计 | 第55-57页 |
| ·测试方法的选择 | 第55页 |
| ·实验设计和装置 | 第55-57页 |
| ·实验数据记录与分析 | 第57-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 6 总结 | 第63-65页 |
| ·论文研究工作结果 | 第63页 |
| ·后续展望和本文的不足 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 附录A | 第71-72页 |
