| 目录 | 第1-8页 |
| 论文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·平板显示器件发展的历史与现状 | 第13-15页 |
| ·场发射显示原理 | 第15-18页 |
| ·场发射材料 | 第18-21页 |
| ·碳纳米管与 CNT-FED | 第21-25页 |
| ·本文主要研究工作内容 | 第25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 场发射理论和实验方法 | 第31-47页 |
| ·场发射原理 | 第31-34页 |
| ·碳纳米管的场发射机制 | 第34-36页 |
| ·碳纳米管场发射阴极的制备 | 第36-40页 |
| ·碳纳米管薄膜的场发射性能测试 | 第40-43页 |
| ·碳纳米管薄膜的表征 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 CVD生长-丝网印刷工艺制备碳纳米管阴极场发射性能的研究 | 第47-65页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·制备温度的影响 | 第48-54页 |
| ·C_2H_2和 H_2流量比的影响 | 第54-59页 |
| ·印刷浆料的粘稠度的影响 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 电泳方法制备场发射阴极以及工艺参数的影响 | 第65-87页 |
| ·电泳方法制备场发射阴极 | 第65-70页 |
| ·电泳使用不同形貌碳管制备场发射阴极的研究 | 第70-74页 |
| ·电泳方法制备场发射阴极的工艺优化 | 第74-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第五章 Cu催化生长碳纳米管薄膜场发射阴极的研究 | 第87-110页 |
| ·缓冲层对铜催化生长碳管形貌和性能的影响 | 第87-92页 |
| ·Ti缓冲层厚度对生长碳纳米管场发射阴极性能的影响 | 第92-96页 |
| ·W缓冲层厚度对生长碳纳米管场发射阴极性能的影响 | 第96-98页 |
| ·Ti上不同Cu厚度生长碳纳米管阴极的影响 | 第98-102页 |
| ·CVD参数对 Cu催化生长碳管形貌和场发射特性的影响 | 第102-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第六章 不同工艺制备场发射光源、显示器件的研究 | 第110-126页 |
| ·低温、大面积生长纳米碳基膜场发射平面光源 | 第111-116页 |
| ·电泳工艺制备阵列场发射阴极及其性能的研究 | 第116-121页 |
| ·直接生长法 | 第121-123页 |
| ·本章小结 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-126页 |
| 第七章 结论 | 第126-128页 |
| 附录 博士期间完成的论文 | 第128-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
