| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| §1.1 引言 | 第7-13页 |
| §1.2 本文研究的目的和主要内容 | 第13-14页 |
| 第二章 二氧化硅薄膜 | 第14-25页 |
| §2.1 二氧化硅薄膜的性质 | 第14页 |
| §2.2 二氧化硅薄膜的表征手段和分析方法 | 第14-21页 |
| §2.3 二氧化硅薄膜常用的制备方法 | 第21-25页 |
| 第三章 等离子体增强化学汽相沉积法制备二氧化硅薄膜工艺 | 第25-31页 |
| §3.1 概述 | 第25-26页 |
| §3.2 等离子体增强化学汽相沉积法工艺 | 第26-29页 |
| §3.3 实验设计 | 第29-31页 |
| 第四章 热氧化法制备二氧化硅薄膜工艺 | 第31-40页 |
| §4.1 概述 | 第31-32页 |
| §4.2 扩散设备与扩散源 | 第32-34页 |
| §4.3 热生长氧化法 | 第34-36页 |
| §4.4 热分解沉积氧化膜法 | 第36-38页 |
| §4.5 其他氧化方法 | 第38-40页 |
| 第五章 硅基二氧化硅薄膜物理特性 | 第40-55页 |
| §5.1 硅基二氧化硅薄膜样品 | 第40-46页 |
| §5.2 硅基二氧化硅薄膜的物理特性分析 | 第46-55页 |
| 总结 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |