紫外光刻法制备图案化的低维纳米结构陈列
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-23页 |
| ·一维纳米材料的研究进展 | 第8-10页 |
| ·纳米管 | 第8页 |
| ·纳米带 | 第8-9页 |
| ·同轴纳米电缆 | 第9页 |
| ·一维纳米线及阵列 | 第9-10页 |
| ·纳米图形化技术的研究现状 | 第10-18页 |
| ·光刻技术 | 第10-12页 |
| ·分子自组装技术 | 第12-14页 |
| ·纳米加工技术 | 第14页 |
| ·纳米压印技术 | 第14-16页 |
| ·化学生长技术 | 第16-17页 |
| ·薄膜技术 | 第17-18页 |
| ·一维纳米材料在气体传感器中的应用 | 第18-21页 |
| ·碳纳米管气体传感器 | 第18-19页 |
| ·单根金属氧化物纳米线/纳米带气体传感器 | 第19-20页 |
| ·金属/半导体纳米线气体传感器 | 第20-21页 |
| ·本课题的目的及意义 | 第21-23页 |
| 第二章 光刻工艺条件的研究 | 第23-34页 |
| ·实验部分 | 第23-25页 |
| ·试剂和仪器 | 第23-24页 |
| ·实验方法及步骤 | 第24-25页 |
| ·测试样品的制备及表征 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-33页 |
| ·玻璃片的图案化 | 第25-29页 |
| ·匀胶速率的影响 | 第26-27页 |
| ·后烘时间的影响 | 第27-28页 |
| ·匀胶量的影响 | 第28页 |
| ·曝光时间的影响 | 第28-29页 |
| ·AAO的模板图案化 | 第29-33页 |
| ·显影时间为10s | 第29-30页 |
| ·显影时间为15s | 第30-31页 |
| ·显影时间为20s | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 图案化聚合物一维纳米阵列的制备 | 第34-44页 |
| ·实验部分 | 第34-37页 |
| ·试剂和仪器 | 第34-35页 |
| ·实验方法及步骤 | 第35-36页 |
| ·图案化AAO模板的制备 | 第35-36页 |
| ·图案化PS一维纳米结构阵列的制备 | 第36页 |
| ·测试样品的制备与表征 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·溶液法制备图案化的PS一维纳米结构 | 第37-41页 |
| ·磷铬酸溶解模板 | 第37-39页 |
| ·氢氧化钠溶解模板 | 第39-41页 |
| ·熔融法制备图案化PS的一维纳米结构 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 图案化金属纳米线阵列的制备 | 第44-54页 |
| ·实验部分 | 第44-46页 |
| ·试剂和仪器 | 第44-45页 |
| ·实验方法及步骤 | 第45-46页 |
| ·图案化AAO模板及电沉积电极的制备 | 第45页 |
| ·常规及图案化铜纳米线的制备 | 第45-46页 |
| ·测试样品的制备与表征 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-53页 |
| ·铜纳米线阵列 | 第46-49页 |
| ·恒压沉积10分钟 | 第47页 |
| ·恒压沉积30分钟 | 第47-48页 |
| ·恒压沉积60分钟 | 第48-49页 |
| ·图案化铜纳米线 | 第49-53页 |
| ·恒压沉积10分钟 | 第49-50页 |
| ·恒压沉积20分钟 | 第50-51页 |
| ·恒压沉积60分钟 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
