摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
致谢 | 第9-14页 |
第一章 绪论 | 第14-28页 |
·引言 | 第14页 |
·纳米材料的概念与分类 | 第14-15页 |
·纳米材料的概念 | 第14页 |
·纳米材料的分类 | 第14-15页 |
·纳米材料的基本特性 | 第15-18页 |
·表面效应 | 第15-16页 |
·小尺寸效应 | 第16页 |
·量子效应 | 第16-17页 |
·宏观量子隧道效应 | 第17页 |
·介电限域效应 | 第17页 |
·库仑堵塞和量子隧穿效应 | 第17-18页 |
·准一维纳米材料的制备方法 | 第18-24页 |
·气相法 | 第18-21页 |
·液相法 | 第21-23页 |
·模板法 | 第23-24页 |
·准一维纳米材料的发展趋势 | 第24-26页 |
·准一维纳米材料的物性研究及其应用 | 第26页 |
·本论文的选题背景与研究内容 | 第26-28页 |
第二章 实验装置、原理、操作规程及样品表征 | 第28-32页 |
·实验装置简介 | 第28页 |
·试验设备简介 | 第28页 |
·实验装置示意图 | 第28页 |
·实验原理 | 第28-29页 |
·实验操作规程 | 第29页 |
·注意事项 | 第29-30页 |
·实验样品的表征 | 第30-31页 |
·形貌分析 | 第30页 |
·成分分析 | 第30-31页 |
·物性分析 | 第31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
第三章 三元氧化物SNGEO_3纳米带的合成及发光性能研究 | 第32-38页 |
·引言 | 第32页 |
·实验过程 | 第32-33页 |
·实验结果与讨论 | 第33-37页 |
·产物的形貌 | 第33-34页 |
·产物的结构与成分 | 第34-35页 |
·SnGeO_3 纳米带的生长机制 | 第35-36页 |
·SnGeO_3 纳米带的光致发光性能 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第四章 热蒸发法合成ZNGA_2O_4纳米结构及发光性能研究 | 第38-45页 |
·引言 | 第38页 |
·实验过程 | 第38-39页 |
·结果与讨论 | 第39-44页 |
·产物的形貌 | 第39-40页 |
·产物的结构与成份 | 第40-42页 |
·产物的生长机制 | 第42-43页 |
·产物的光致发光性能 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第五章 二氧化硅微米棒阵列的合成及其光致发光性能研究 | 第45-50页 |
·引言 | 第45页 |
·实验过程 | 第45-46页 |
·实验结果与讨论 | 第46-49页 |
·产物的形貌、结构与成分 | 第46-47页 |
·氧化硅微米棒阵列的生长机制 | 第47-48页 |
·氧化硅微米棒阵列的光致发光性能 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-50页 |
全文总结与展望 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-61页 |
硕士期间发表的论文 | 第61-62页 |