| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-31页 |
| ·研究背景和意义 | 第14-15页 |
| ·Si基弛豫SiGe和Ge生长的研究进展 | 第15-20页 |
| ·组份变化缓冲层技术 | 第15-17页 |
| ·低温缓冲层技术 | 第17-19页 |
| ·选区外延技术 | 第19-20页 |
| ·Si基Ge光电探测器的研究进展 | 第20-22页 |
| ·本论文主要工作和结构安排 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-31页 |
| 第二章 SiGe/Si材料生长及表征方法 | 第31-42页 |
| ·超高真空化学气相沉积系统 | 第31-34页 |
| ·系统简介 | 第31-33页 |
| ·系统的特点 | 第33-34页 |
| ·材料表征方法 | 第34-40页 |
| ·X射线衍射 | 第34-36页 |
| ·拉曼散射谱 | 第36-37页 |
| ·原子力显微镜 | 第37-38页 |
| ·化学腐蚀位错坑 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 低温Ge量子点缓冲层技术生长Si_(0.72)Ge_(0.28)弛豫衬底 | 第42-60页 |
| ·低温Ge量子点缓冲层设计思想 | 第42-44页 |
| ·低温Ge量子点缓冲层技术制备Si_(0.72)Ge_(0.28)弛豫衬底 | 第44-56页 |
| ·生长与表征 | 第45-46页 |
| ·结果和讨论 | 第46-51页 |
| ·Ge量子点的生长温度对SiGe弛豫衬底的影响 | 第51-52页 |
| ·退火对SiGe弛豫衬底的影响 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第四章 低温Ge缓冲层技术生长Si基Ge薄膜 | 第60-84页 |
| ·低温Ge缓冲层技术 | 第60-61页 |
| ·Ge/Si生长及表征 | 第61-63页 |
| ·结果和讨论 | 第63-76页 |
| ·低温Ge缓冲层生长温度的优化 | 第63-70页 |
| ·低温Ge缓冲层厚度对Ge外延层的影响 | 第70-72页 |
| ·低温SiGe层对Ge外延层的影响 | 第72-76页 |
| ·Ge外延层中的张应变 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第五章 Si基Ge光电探测器研制 | 第84-117页 |
| ·光电探测器的基本理论 | 第84-89页 |
| ·光电探测器的工作原理 | 第84-86页 |
| ·量子效率和响应度 | 第86-87页 |
| ·响应时间和频率 | 第87-88页 |
| ·暗电流和噪声 | 第88-89页 |
| ·Si基长波长光电探测器的优化设计 | 第89-96页 |
| ·吸收区材料选择 | 第89-91页 |
| ·器件结构选择 | 第91-93页 |
| ·量子效率优化设计 | 第93-95页 |
| ·带宽优化设计 | 第95-96页 |
| ·Si基Ge光电探测器的制作 | 第96-101页 |
| ·Si基Ge探测器材料外延 | 第96-98页 |
| ·Si基Ge探测器制作工艺 | 第98-101页 |
| ·Si基Ge光电探测器的测试结果与讨论 | 第101-110页 |
| ·测试设备 | 第101-102页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性 | 第102-108页 |
| ·响应度和相对响应光谱 | 第108-110页 |
| ·SOI基Ge光电探测器 | 第110-113页 |
| ·本章小结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-117页 |
| 第六章 总结与展望 | 第117-119页 |
| 附录 博士期间科研成果 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121页 |