| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| ·研究背景与意义 | 第8-11页 |
| ·HPGe探测器的研究现状 | 第11-14页 |
| ·本研究工作及意义 | 第14-17页 |
| 第二章 γ(X)射线与物质相互作用的机制 | 第17-26页 |
| ·光电效应 | 第17-21页 |
| ·光电子的能量 | 第19页 |
| ·光电截面 | 第19-21页 |
| ·光电子的角分布 | 第21页 |
| ·康普顿效应(散射) | 第21-23页 |
| ·电子对效应 | 第23-26页 |
| 第三章 高纯锗探测器探测效率模拟的基本原理 | 第26-31页 |
| ·高纯锗探测器工作的基本原理 | 第26-27页 |
| ·探测效率的分类 | 第27-28页 |
| ·影响探测效率的几个因素 | 第28-29页 |
| ·探测效率的MCNP模拟 | 第29-31页 |
| 第四章 蒙特卡罗(Monte Carlo)方法 | 第31-39页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第31页 |
| ·粒子输运问题 | 第31-33页 |
| ·MCNP基础 | 第33页 |
| ·MCNP解决光子在介质中的输运问题 | 第33-35页 |
| ·简单的物理处理过程 | 第33-34页 |
| ·详细的物理处理过程 | 第34-35页 |
| ·MCNP误差的估计 | 第35-36页 |
| ·MCNP效率因素 | 第36页 |
| ·减小方差的技巧 | 第36-37页 |
| ·MCNP程序运行结构 | 第37-39页 |
| 第五章HPGe 探测器的探测效率的实验测量以及MCNP 的模型建立和模拟 | 第39-45页 |
| ·实验测量高纯锗探测器的源峰效率 | 第39页 |
| ·MCNP的模型建立和模拟计算 | 第39-45页 |
| 第六章 数据处理及分析 | 第45-55页 |
| ·探测器死层厚度和冷指尺寸的确定 | 第45-51页 |
| ·探测器死层厚度的调节 | 第47-49页 |
| ·探测器冷指尺寸的确定 | 第49-51页 |
| ·探测器能谱模拟 | 第51-53页 |
| ·探测效率ε与轴向距离h和径向距离r的关系 | 第53-55页 |
| ·源峰探测效率与放射源到入射窗表面距离的关系 | 第53页 |
| ·源峰探测效率与径向距离的关系 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 附录 | 第59-61页 |
| 摘要 | 第61-63页 |
| ABSTRACT | 第63-66页 |
| 致谢 | 第66页 |