| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| §1.1 概述 | 第8-9页 |
| ·低维半导体材料 | 第8页 |
| ·宽带隙半导体材料 | 第8-9页 |
| §1.2 低维纳米结构的概念 | 第9-10页 |
| §1.3 低维半导体纳米材料的应用 | 第10-11页 |
| §1.4 低维纳米结构中电子态的计算方法 | 第11-16页 |
| ·第一性原理 | 第12页 |
| ·有效质量包络函数近似理论 | 第12-16页 |
| §1.5 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 半导体量子阱中氢施主杂质的电子态研究 | 第17-24页 |
| §2.1 引言 | 第17页 |
| §2.2 理论模型 | 第17-19页 |
| §2.3 数值计算与结果分析 | 第19-23页 |
| ·氢施主杂质的能级与量子阱宽度的关系 | 第19-21页 |
| ·氢施主杂质的基态结合能与量子阱宽度及带阶的关系 | 第21-22页 |
| ·不同形状量子阱中杂质能级和结合能的比较 | 第22-23页 |
| §2.4 结论 | 第23-24页 |
| 第三章 量子阱线中氢施主杂质的电子态研究 | 第24-30页 |
| §3.1 引言 | 第24页 |
| §3.2 理论模型 | 第24-26页 |
| §3.3 数值计算与结果分析 | 第26-29页 |
| ·氢施主杂质的结合能与杂质的位置及外电场的关系 | 第26-27页 |
| ·氢施主杂质的结合能与量子线半径的关系 | 第27-28页 |
| ·氢施主杂质的斯塔克能移与外电场及半径的关系 | 第28-29页 |
| §3.4 结论 | 第29-30页 |
| 第四章 外电场对闪锌矿结构Ⅲ族氮化物量子点中氢施主杂质的影响 | 第30-37页 |
| §4.1 引言 | 第30页 |
| §4.2 理论模型 | 第30-32页 |
| §4.3 数值计算与结果分析 | 第32-36页 |
| ·氢施主杂质的结合能与杂质的位置及外电场的关系 | 第32-34页 |
| ·氢施主杂质的结合能与柱形量子点高度的关系 | 第34-35页 |
| ·氢施主杂质的结合能与柱形量子点半径的关系 | 第35-36页 |
| §4.4 结论 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-41页 |
| 硕士期间发表论文 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42页 |