| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 插图索引 | 第9-10页 |
| 附表索引 | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| ·前言 | 第11页 |
| ·金属薄膜电阻的研究和发展现状 | 第11-14页 |
| ·Ni-Cr 系薄膜电阻的研究发展现状 | 第12-13页 |
| ·Cr-Si 系薄膜电阻的研究发展现状 | 第13-14页 |
| ·钽及钽薄膜电阻 | 第14-21页 |
| ·钽及特性 | 第14-15页 |
| ·钽薄膜研究进展 | 第15-17页 |
| ·钽膜的导电机理 | 第17-21页 |
| ·钽薄膜的制备 | 第21-24页 |
| ·磁控溅射法 | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第21-22页 |
| ·离子束沉积法 | 第22页 |
| ·原子层沉积法 | 第22-23页 |
| ·薄膜的成膜过程 | 第23-24页 |
| ·当前钽薄膜精密电阻研究中存在的主要问题 | 第24页 |
| ·本文的选题依据及主要研究内容 | 第24-25页 |
| ·本论文的创新点 | 第25-26页 |
| 第2章 样品的制备及其表征 | 第26-41页 |
| ·样品制备 | 第26-35页 |
| ·磁控溅射系统 | 第26-27页 |
| ·溅射原理 | 第27-31页 |
| ·反应溅射中溅射速率的影响因素 | 第31-33页 |
| ·成膜过程与薄膜结构 | 第33-34页 |
| ·基片选用及处理 | 第34页 |
| ·磁控法制备样品 | 第34-35页 |
| ·薄膜表征方法 | 第35-41页 |
| ·成分分析 | 第36页 |
| ·形貌分析 | 第36-40页 |
| ·电学性能测试 | 第40-41页 |
| 第3章 样品的形貌及电学性能研究 | 第41-57页 |
| ·前言 | 第41页 |
| ·不同溅射功率沉积Ta 薄膜样品表面和电学性能比较分析 | 第41-45页 |
| ·不同溅射功率工艺参数 | 第41-42页 |
| ·不同溅射功率薄膜形貌的AFM 表征 | 第42-43页 |
| ·薄膜的电阻值和温度系数随功率的变化关系 | 第43-45页 |
| ·不同溅射时间的样品性能比较分析 | 第45-52页 |
| ·溅射功率为81W 时工艺参数及形貌分析 | 第45-47页 |
| ·溅射功率为81W 时薄膜电学性能分析 | 第47-48页 |
| ·溅射功率为96.25W 时工艺参数及形貌分析 | 第48-50页 |
| ·溅射功率为96.25W 时薄膜电学性能分析 | 第50-52页 |
| ·不同溅射功率双层膜电学性能及形貌分析 | 第52-57页 |
| ·补偿模式原理分析 | 第52-53页 |
| ·补偿模式制备工艺参数及形貌分析 | 第53-56页 |
| ·采用补偿模式制备样品电学性能分析 | 第56-57页 |
| 结论与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65页 |