| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-32页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第11页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO 材料的研究概况 | 第13-30页 |
| ·光泵谱ZnO 紫外激光研究 | 第13-18页 |
| ·电致ZnO 基紫外激光研究 | 第18-21页 |
| ·ZnO 基LED | 第21-24页 |
| ·ZnO 基探测器 | 第24-27页 |
| ·ZnO 发电机 | 第27-30页 |
| ·小结 | 第30-32页 |
| 第2章 ZnO 材料的制备及其常用表征手段 | 第32-40页 |
| ·ZnO 材料的制备 | 第32-35页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第32页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第32-33页 |
| ·磁控溅射 | 第33页 |
| ·金属有机化学汽相沉积（MOCVD） | 第33-34页 |
| ·化学气相沉积 | 第34页 |
| ·水热法 | 第34页 |
| ·电化学 | 第34-35页 |
| ·模板诱导(Template assisted) 方法 | 第35页 |
| ·ZnO 材料的表征 | 第35-39页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第35-36页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第36-37页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第37-38页 |
| ·光致发光（PL），吸收和透射 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第3章 ZnO 纳米结构的生长及其结构和光致发光性质 | 第40-61页 |
| ·垂直的ZnO 纳米钉序列的结构和光学性质 | 第40-45页 |
| ·ZnO 纳米钉的生长 | 第40-42页 |
| ·ZnO 纳米钉的结构和发光性质 | 第42-45页 |
| ·ZnO 纳米线的生长调控 | 第45-55页 |
| ·ZnO 纳米线的制备 | 第45页 |
| ·ZnO 籽晶层的结构和形貌性质 | 第45-49页 |
| ·ZnO 纳米线的形貌和发光性质 | 第49-55页 |
| ·一维ZnO 同型同质结 | 第55-59页 |
| ·一维同型同质结的制备 | 第55-56页 |
| ·一维同型同质结的表征 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第4章 ZnO 基发光器件 | 第61-84页 |
| ·光泵浦ZnO 纳米线紫外激光器 | 第61-70页 |
| ·垂直ZnO 纳米线的激光发射行为 | 第61-64页 |
| ·较低阈值光泵谱ZnO 纳米线激光发射 | 第64-70页 |
| ·ZnO 基电致发光器件 | 第70-82页 |
| ·电致自组装n-ZnO 微晶薄膜/p-GaN 异质结单模激光发射 | 第70-77页 |
| ·超低电流注入的ZnO LED | 第77-82页 |
| ·小结 | 第82-84页 |
| 第5章 ZnO 基探测器 | 第84-96页 |
| ·基于ZnO 纳米线/n-Si 异质结可见和紫外光调节型探测器 | 第84-88页 |
| ·器件制备 | 第84页 |
| ·器件的表征 | 第84-88页 |
| ·基于n-ZnO 纳米线/i-薄膜/n-纳米线探测器短波截止探测器 | 第88-94页 |
| ·器件制备 | 第88-89页 |
| ·器件的表征 | 第89-94页 |
| ·小结 | 第94-96页 |
| 第6章 结论和展望 | 第96-99页 |
| ·结论 | 第96-97页 |
| ·展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-105页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第105-107页 |
| 指导教师及作者简介 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
