| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·周期结构热辐射研究现状及其应用 | 第9-14页 |
| ·周期结构实现相干热辐射研究现状 | 第9-13页 |
| ·周期结构在热辐射等方面的应用前景 | 第13-14页 |
| ·一维周期结构的理论计算方法 | 第14-21页 |
| ·传输矩阵法 | 第14-19页 |
| ·时域有限差分法 | 第19-21页 |
| ·本论文的研究内容和结构 | 第21-22页 |
| 第2章 含有非吸收缺陷一维周期结构缺陷模的研究 | 第22-30页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·周期结构反射率及缺陷层厚度对其影响 | 第22-25页 |
| ·直接插入缺陷层时周期结构反射率 | 第22-24页 |
| ·替代插入缺陷层时周期结构反射率 | 第24-25页 |
| ·周期数N 及介质折射率比对禁带及透射率的影响 | 第25-27页 |
| ·一维周期结构态密度 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 含有吸收介质的一维周期结构热辐射性质 | 第30-37页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·基本结构介绍 | 第30-31页 |
| ·缺陷层厚度对周期结构反射率和发射率的影响 | 第31-34页 |
| ·替代式插入缺陷时缺陷层厚度对反射率和发射率影响 | 第31-32页 |
| ·直接插入缺陷时缺陷层厚度对反射率和发射率影响 | 第32-34页 |
| ·一维周期结构发射率随角度变化 | 第34-35页 |
| ·一维周期结构热辐射的角分布 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 含有SiC 缺陷的一维半无限周期结构热辐射性质 | 第37-53页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·基本结构介绍 | 第37-38页 |
| ·表面波的色散关系 | 第38-40页 |
| ·一维周期结构反射率及其禁带特性 | 第40-41页 |
| ·表面波模式相干热辐射性质 | 第41-47页 |
| ·缺陷层厚度对发射率的影响 | 第42页 |
| ·电场的空间分布 | 第42-44页 |
| ·发射率随发射角度变化及其半球角分布 | 第44-47页 |
| ·缺陷层前周期数对发射率的影响 | 第47页 |
| ·缺陷模相干热辐射性质 | 第47-51页 |
| ·缺陷层厚度对发射率的影响 | 第47-48页 |
| ·电场空间分布 | 第48-49页 |
| ·发射率随发射角变化及其半球角分布 | 第49-51页 |
| ·发射率与黑体辐射的比较 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |