离子通道的记忆性对神经元激发参数的影响
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·神经元(Neuron)的结构 | 第9-11页 |
| ·离子通道 | 第11-13页 |
| ·钾离子通道 | 第11-12页 |
| ·钠离子通道 | 第12页 |
| ·离子通道的选择性 | 第12-13页 |
| ·神经细胞的物理性质 | 第13-15页 |
| ·轴突的结构及电路图 | 第13-14页 |
| ·神经元的电路图 | 第14-15页 |
| ·动作电位的引发 | 第15-16页 |
| ·膜片钳技术 | 第16-17页 |
| ·研究神经元激发的意义 | 第17页 |
| ·结构安排 | 第17-19页 |
| 第2章 决定性HH方程和随机的HH方程 | 第19-27页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·决定性HH方程 | 第19-20页 |
| ·随机的HH方程 | 第20-23页 |
| ·二项式方法 | 第20-22页 |
| ·简单门控转换法 | 第22-23页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第23-25页 |
| ·动作电势的模拟 | 第23页 |
| ·平均峰间距 | 第23-24页 |
| ·相对波动 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25-27页 |
| 第3章 渐进的分形方法分析神经元的激发特点 | 第27-34页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·Liebovitch分形方法的基本原理 | 第27-28页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第28-32页 |
| ·记忆性强弱对动作电势的影响 | 第28-29页 |
| ·记忆性强弱对阈值电压的影响 | 第29-30页 |
| ·记忆性强弱对平均峰间距的影响 | 第30-31页 |
| ·记忆性强弱对能量频谱的影响 | 第31-32页 |
| ·记忆性强弱对平均激发率的影响 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-34页 |
| 第4章 半分形半马儿可夫法分析神经元的激发特点 | 第34-44页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·模型 | 第34-35页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第35-43页 |
| ·关闭状态的停留时间分布及分形维数计算 | 第35-36页 |
| ·电压门的分形维数与通道分形维数之间的关系 | 第36-37页 |
| ·电压门的分形行为对膜面积较大神经元的影响 | 第37-39页 |
| ·电压门的分形行为对膜面积较小神经元的影响 | 第39-40页 |
| ·钾离子分形门控机制产生的原因 | 第40-42页 |
| ·Allan factor | 第42-43页 |
| ·ISI 分布图 | 第43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第5章 总结和展望 | 第44-46页 |
| ·工作总结 | 第44-45页 |
| ·工作展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和研究成果 | 第50页 |
