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低维量子结构的红外—太赫兹光电器件研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第1章 绪论第11-25页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 太赫兹波调制技术第13-16页
        1.2.1 超材料太赫兹调制器第13-14页
        1.2.2 半导体基太赫兹调制器第14-15页
        1.2.3 石墨烯基太赫兹调制器第15-16页
    1.3 太赫兹波探测技术第16-22页
        1.3.1 外差混频太赫兹探测器第16-18页
        1.3.2 太赫兹量子阱光电探测器第18-19页
        1.3.3 场效应晶体管探测器第19页
        1.3.4 热探测器第19-22页
    1.4 基于导模共振的量子阱红外探测器第22-25页
第2章 基于石墨烯超材料的太赫兹可调谐器件研究第25-39页
    2.1 引言第25-26页
    2.2 石墨烯的电导率模型第26-28页
    2.3 基于石墨烯超材料的太赫兹调制研究第28-32页
        2.3.1 器件结构及计算模型第28-29页
        2.3.2 石墨烯超材料在两个偏振入射下的共振第29-31页
        2.3.3 石墨烯超材料在两个偏振入射下对太赫兹波的调制第31-32页
    2.4 基于不对称的石墨烯超材料结构实现可调慢光效应第32-36页
    2.5 基于EIT共振的超灵敏传感第36-38页
    2.6 本章小结第38-39页
第3章 基于Photogalvanic效应的Bi_2Se_3太赫兹探测器第39-57页
    3.1 引言第39-45页
    3.2 Bi_2Se_3太赫兹探测器件的制作第45-46页
    3.3 基于MTM结构的光伏型太赫兹探测及其基本物理模型第46-52页
    3.4 基于MTM结构光电导型太赫兹探测器第52-54页
    3.5 红外泵浦光电导型太赫兹探测器第54-55页
    3.6 本章小结第55-57页
第4章 导模共振集成量子阱红外探测器第57-75页
    4.1 引言第57页
    4.2 导模共振的电磁波理论第57-60页
    4.3 导模共振激发第60-61页
    4.4 导模共振集成量子阱红外探测器第61-72页
        4.4.1 器件结构及计算模型第64-65页
        4.4.2 器件的电磁响应特性第65-69页
        4.4.3 导模共振集成量子阱实现高光谱探测第69-72页
    4.5 本章小结第72-75页
第5章 MoS_2光电探测器第75-81页
    5.1 引言第75-76页
    5.2 MoS_2光电探测器第76-80页
    5.3 本章小结第80-81页
第6章 总结与展望第81-83页
    6.1 论文总结第81-82页
    6.2 后期展望第82-83页
参考文献第83-95页
致谢第95-97页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第97-98页

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