| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 低维材料光电探测性能 | 第9-10页 |
| 1.2 低维ZnO纳米材料的可控合成及其光电探测性能 | 第10-20页 |
| 1.2.1 低维ZnO纳米材料的气相合成 | 第10-12页 |
| 1.2.2 低维本征ZnO纳米材料光电探测器件 | 第12-13页 |
| 1.2.3 低维ZnO纳米材料光电探测性能的改善 | 第13-20页 |
| 1.3 低维III-VIA族纳米材料的可控合成及其光电探测性能 | 第20-29页 |
| 1.3.1 低维III-VIA族纳米材料的合成 | 第20-26页 |
| 1.3.2 低维III-VIA族纳米材料的光电探测性能 | 第26-29页 |
| 1.4 选题思路和意义 | 第29-31页 |
| 第二章 实验分析测试及器件构筑方法 | 第31-38页 |
| 2.1 实验分析测试方法 | 第31-34页 |
| 2.1.1 X射线衍射仪(XRD) | 第31页 |
| 2.1.2 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第31页 |
| 2.1.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第31页 |
| 2.1.4 场发射透射电子显微镜(FETEM) | 第31-32页 |
| 2.1.5 高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM) | 第32页 |
| 2.1.6 原子力显微镜(AFM) | 第32页 |
| 2.1.7 紫外-可见(UV-Vis)分光光度计 | 第32页 |
| 2.1.8 光致发光(PL)光谱仪 | 第32-33页 |
| 2.1.9 时间分辨荧光(Time-resolvedPL)光谱仪 | 第33页 |
| 2.1.10 阴极荧光(CL)光谱仪 | 第33页 |
| 2.1.11 半导体分析测试系统 | 第33-34页 |
| 2.2 光电器件的构筑 | 第34-36页 |
| 2.3 实验的主要试剂和装置 | 第36-38页 |
| 2.3.1 实验主要试剂 | 第36-37页 |
| 2.3.2 实验仪器及设备 | 第37-38页 |
| 第三章 ZnO/CH_3NH_3PbI_3异质结构筑及其光电探测性能研究 | 第38-51页 |
| 3.1 ZnO/CH_3NH_3PbI_3异质结构筑 | 第39-40页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第40-50页 |
| 3.2.1 形貌与结构分析 | 第40-43页 |
| 3.2.2 光学性质分析 | 第43-44页 |
| 3.2.3 器件性能研究 | 第44-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 低维Ga_2In_4S_9纳米片的可控合成及光电探测性能研究 | 第51-64页 |
| 4.1 低维Ga_2In_4S_9纳米片的气相合成 | 第51-52页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第52-63页 |
| 4.2.1 形貌与结构分析 | 第52-54页 |
| 4.2.2 光学性质分析 | 第54-57页 |
| 4.2.3 器件性能研究 | 第57-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论及展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第79页 |
