戊炔草胺工业结晶过程的晶习调控研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 晶习概述与研究进展 | 第11-16页 |
| 1.2.1 晶习定义与概述 | 第11-13页 |
| 1.2.2 晶习的实验筛选 | 第13-15页 |
| 1.2.3 晶习的理论预测 | 第15-16页 |
| 1.3 晶习预测模型概述 | 第16-21页 |
| 1.3.1 BFDH模型 | 第17页 |
| 1.3.2 AE模型 | 第17-19页 |
| 1.3.3 Gibbs-Wullf模型 | 第19页 |
| 1.3.4 IS模型 | 第19-20页 |
| 1.3.5 表面结构分析模型 | 第20页 |
| 1.3.6 机械生长模型 | 第20-21页 |
| 1.4 分子模拟技术概述 | 第21-23页 |
| 1.4.1 量子力学 | 第22页 |
| 1.4.2 分子力学 | 第22-23页 |
| 1.4.3 分子动力学 | 第23页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验方法 | 第25-35页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第25页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
| 2.2 实验内容 | 第26-35页 |
| 2.2.1 模拟体系建模与参数确定 | 第26-32页 |
| 2.2.2 单晶培养、晶面定向与测量和表面处理 | 第32-33页 |
| 2.2.3 溶剂体系对结晶晶习影响实验 | 第33页 |
| 2.2.4 过饱和度对结晶晶习影响实验 | 第33-34页 |
| 2.2.5 杂质体系对结晶晶习影响实验 | 第34-35页 |
| 第3章 戊炔草胺晶体结构分析与真空中晶习模拟 | 第35-44页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 晶体结构解析与模拟力场确定 | 第35-37页 |
| 3.3 晶体内部非键力与PBC链结构分析 | 第37-40页 |
| 3.4 晶体晶面各向异性分析 | 第40-41页 |
| 3.5 真空中的晶习预测 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 结晶溶剂对戊炔草胺的晶习调控 | 第44-54页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 溶剂调控的晶习特征与分析 | 第44-48页 |
| 4.2.1 晶面指数标定与XRD分析 | 第44-46页 |
| 4.2.2 预测晶习与实际晶习特征 | 第46-48页 |
| 4.3 溶剂修正附着热力学与扩散动力学 | 第48-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 结晶过饱和度对戊炔草胺的晶习调控 | 第54-75页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 溶质晶面识别、吸附动力学过程分析 | 第55-56页 |
| 5.3 晶体各向异性生长行为分析 | 第56-63页 |
| 5.3.1 模拟结果与分析 | 第57-58页 |
| 5.3.2 实验结果与模型关联 | 第58-63页 |
| 5.4 晶体各向异性溶解行为分析 | 第63-66页 |
| 5.4.1 溶解模型建立 | 第63-65页 |
| 5.4.2 实验结果与模型关联 | 第65-66页 |
| 5.5 冷却结晶过程过饱和度对晶习调控工艺 | 第66-73页 |
| 5.5.1 冷却结晶工艺 | 第67-70页 |
| 5.5.2 温度循环工艺 | 第70-73页 |
| 5.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第6章 结晶杂质对戊炔草胺的晶习调控 | 第75-88页 |
| 6.1 引言 | 第75页 |
| 6.2 杂质体系选取与晶格嵌入性分析 | 第75-78页 |
| 6.3 杂质扩散动力学与修正附着热力学 | 第78-83页 |
| 6.4 杂质体系中晶体各向异性生长速率 | 第83-86页 |
| 6.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 结论 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-95页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
