摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 In_xAl_(1-x)N薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
1.2.1 In_xAl_(1-x)N薄膜的制备方法 | 第13页 |
1.2.2 掺杂In_xAl_(1-x)N薄膜的制备难点 | 第13-14页 |
1.3 In_xAl_(1-x)N材料的应用现状 | 第14-15页 |
1.4 气敏性能的重要作用与研究现状 | 第15页 |
1.5 本论文主要研究内容 | 第15-17页 |
第二章 掺杂In_xAl_(1-x)N系列薄膜的制备方案及表征方法 | 第17-21页 |
2.1 实验试剂及仪器 | 第17-19页 |
2.1.1 磁控溅射系统 | 第17页 |
2.1.2 气敏测试系统 | 第17-18页 |
2.1.3 实验所需试剂及材料 | 第18-19页 |
2.2 掺杂In_xAl_(1-x)N薄膜的制备方案 | 第19-20页 |
2.2.1 方案设计 | 第19页 |
2.2.2 工艺流程 | 第19-20页 |
2.2.3 薄膜的表征与测试方法 | 第20页 |
2.3 本章小结 | 第20-21页 |
第三章 Si掺杂InN薄膜的制备及气敏性能研究 | 第21-45页 |
3.1 Si掺杂InN薄膜的制备及表征 | 第21-39页 |
3.1.1 薄膜制备方案设计思路 | 第21-22页 |
3.1.2 不同衬底温度对Si掺杂InN薄膜制备的影响 | 第22-26页 |
3.1.3 不同Si_3N_4靶材功率对Si掺杂InN薄膜制备的影响 | 第26-30页 |
3.1.4 不同Ar:N_2对Si掺杂InN薄膜制备的影响 | 第30-34页 |
3.1.5 不同In靶材功率对Si掺杂InN薄膜制备的影响 | 第34-37页 |
3.1.6 Si掺杂InN薄膜的XPS分析 | 第37-38页 |
3.1.7 拉曼分析 | 第38-39页 |
3.2 Si掺杂InN薄膜的气敏性能研究 | 第39-42页 |
3.3 Si掺杂InN薄膜材料的气敏工作机理探究 | 第42-43页 |
3.4 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 Si掺杂AlN薄膜的制备及气敏性能研究 | 第45-67页 |
4.1 Si掺杂AlN薄膜的制备及表征 | 第45-62页 |
4.1.1 薄膜制备方案设计思路 | 第45-46页 |
4.1.2 不同压强对Si掺杂AlN薄膜制备的影响 | 第46-50页 |
4.1.3 不同Si_3N_4靶材功率对Si掺杂AlN薄膜制备的影响 | 第50-54页 |
4.1.4 不同Ar:N_2对Si掺杂AlN薄膜制备的影响 | 第54-58页 |
4.1.5 不同Al靶材功率对Si掺杂AlN薄膜制备的影响 | 第58-61页 |
4.1.6 Si掺杂AlN薄膜的XPS分析 | 第61-62页 |
4.2 Si掺杂AlN薄膜的气敏性能研究 | 第62-64页 |
4.3 Si掺杂AlN薄膜材料的气敏工作机理探究 | 第64-65页 |
4.4 本章小结 | 第65-67页 |
第五章 In_xAl_(1-x)N和Si掺杂In_xAl_(1-x)N薄膜的制备及气敏性能研究 | 第67-89页 |
5.1 In_xAl_(1-x)N薄膜的制备及表征 | 第67-78页 |
5.1.1 500℃时不同Ar:N_2对In_xAl_(1-x)N薄膜制备的影响 | 第67-71页 |
5.1.2 600℃时不同Ar:N_2对In_xAl_(1-x)N薄膜制备的影响 | 第71-74页 |
5.1.3 不同压强对Si掺杂In_xAl_(1-x)N薄膜制备的影响 | 第74-78页 |
5.2 Si掺杂In_xAl_(1-x)N薄膜的制备及表征 | 第78-83页 |
5.2.1 不同Si_3N_4靶材功率对Si掺杂In_xAl_(1-x)N薄膜制备的影响 | 第78-82页 |
5.2.2 Si掺杂In_xAl_(1-x)N薄膜的XPS分析 | 第82-83页 |
5.3 In_xAl_(1-x)N薄膜的性能研究 | 第83-87页 |
5.3.1 气敏性能研究 | 第83-85页 |
5.3.2 霍尔测试 | 第85页 |
5.3.3 拉曼分析 | 第85-86页 |
5.3.4 PL分析 | 第86-87页 |
5.4 本章小结 | 第87-89页 |
第六章 总结与展望 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-99页 |
攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第99-101页 |
致谢 | 第101-102页 |