| 中文摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 中文文摘 | 第7-11页 |
| 绪论 | 第11-21页 |
| 0.1 分子电子学的研究背景 | 第11-12页 |
| 0.2 分子器件的研究进展 | 第12-13页 |
| 0.3 分子整流器的研究进展 | 第13-19页 |
| 0.4 本论文的研究目的以及意义 | 第19-21页 |
| 第一章 分子器件电子输运性能的理论研究方法 | 第21-33页 |
| 1.1 Born-Oppenheimer(BO)近似 | 第21-22页 |
| 1.2 Hartree-Fock近似 | 第22-23页 |
| 1.3 密度泛函理论(DFT) | 第23-27页 |
| 1.3.1 Thomas-Fermi模型 | 第23页 |
| 1.3.2 Hohenberg-Kohn(HK)定理 | 第23-24页 |
| 1.3.3 Kohn-Sham(KS)方程 | 第24-25页 |
| 1.3.4 交换-关联泛函 | 第25-26页 |
| 1.3.5 自洽求解过程 | 第26-27页 |
| 1.4 格林函数方法 | 第27-33页 |
| 第二章 以巯基封端的聚硅烷分子整流器的第一性原理研究 | 第33-43页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 计算细节 | 第33-35页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第35-41页 |
| 2.3.1 孤立分子的电子结构 | 第35-36页 |
| 2.3.2 I-V特征和整流率 | 第36-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 具有类似于芘酰亚胺(PBI)分子结构的电子输运性能 | 第43-59页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 计算细节 | 第43-45页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第45-56页 |
| 3.3.1 孤立分子的电子结构 | 第45-47页 |
| 3.3.2 电子输运特征 | 第47-53页 |
| 3.3.3 C原子和N原子对最优整流效应分子器件电子输运性能的影响 | 第53-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-59页 |
| 第四章 基团取代基于芘分子结构框架的分子结电子输运性能 | 第59-77页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 计算细节 | 第59-61页 |
| 4.3 计算结果和讨论 | 第61-75页 |
| 4.3.1 I-V特征和整流效应 | 第61-66页 |
| 4.3.2 不同基团对分子结电子输运性能的影响 | 第66-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 个人简历 | 第91-93页 |
