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E类功率放大器的研究与设计

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第8-12页
    1.1 E类功率放大器的研究背景和意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-10页
    1.3 论文的主要研究内容第10-11页
    1.4 论文的结构安排第11-12页
第2章 射频功率放大器设计基础第12-23页
    2.1 引言第12页
    2.2 射频功率放大器的主要技术指标第12-16页
        2.2.1 输出功率第12-13页
        2.2.2 功率增益第13页
        2.2.3 效率第13-14页
        2.2.4 线性度第14-16页
        2.2.5 稳定性第16页
        2.2.6 功率放大器的其他技术指标第16页
    2.3 射频功率放大器的分类第16-22页
        2.3.1 A类功率放大器第17-18页
        2.3.2 B类功率放大器第18-19页
        2.3.3 AB类及C类功率放大器第19-20页
        2.3.4 D类功率放大器第20页
        2.3.5 E类功率放大器第20页
        2.3.6 F类功率放大器第20-22页
    2.4 本章小结第22-23页
第3章 E类功率放大器的工作原理及设计方法第23-31页
    3.1 引言第23页
    3.2 E类功率放大器工作原理第23-26页
    3.3 E类功率放大器的设计方法第26-31页
        3.3.1 功率管的选择第26-27页
        3.3.2 负载牵引第27页
        3.3.3 输入、输出匹配网络设计第27-31页
第4章 1.85GHz高效E类功率放大器的研究与设计第31-46页
    4.1 设计方案与指标第31页
    4.2 晶体管选型及介质基片分析第31-32页
    4.3 静态工作点的选定第32-34页
    4.4 偏置网络设计和稳定性分析第34-36页
    4.5 匹配电路设计第36-41页
        4.5.1 负载牵引与源牵引仿真第37-39页
        4.5.2 带偏置输入输出匹配电路设计第39-41页
    4.6 整体电路设计及联合仿真第41-42页
    4.7 E类功率放大器实物制作与测试第42-45页
    4.8 本章小结第45-46页
第5章 基于CMOS工艺的E类功率放大器的设计第46-61页
    5.1 CMOS工艺制作功率放大器的问题分析第46页
    5.2 基于CMOS工艺E类功率放大器原理图设计第46-57页
        5.2.1 3层共源共栅(thr-cascode)结构第46-49页
        5.2.2 反馈电路设计第49-53页
        5.2.3 整体电路的设计与仿真第53-57页
    5.3 E类功率放大器版图设计与后仿真第57-60页
        5.3.1 E类功放的版图设计第57页
        5.3.2 E类功放的后仿真第57-60页
    5.4 性能对比第60页
    5.5 本章小结第60-61页
第6章 总结与展望第61-62页
    6.1 本文研究工作总结第61页
    6.2 进一步工作的展望第61-62页
参考文献第62-66页
攻读硕士学位器件的研究成果第66-67页
致谢第67-68页

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