| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 本文研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文基本结构框架 | 第11-13页 |
| 第2章 半导体微腔中的光-物质耦合作用 | 第13-21页 |
| 2.1 激子及激子极化激元概述 | 第13-16页 |
| 2.1.1 激子 | 第13-14页 |
| 2.1.2 激子极化激元 | 第14-15页 |
| 2.1.3 激子-光子强耦合效应的理论解释 | 第15-16页 |
| 2.2 半导体光学微腔 | 第16-21页 |
| 2.2.1 平板微腔 | 第17-19页 |
| 2.2.2 回音壁微腔 | 第19-21页 |
| 第3章 实验测试系统 | 第21-26页 |
| 3.1 半导体微纳结构的形貌表征 | 第21-24页 |
| 3.1.1 原子力显微镜测试系统 | 第21-23页 |
| 3.1.2 扫描电子显微镜测试系统 | 第23-24页 |
| 3.2 自搭建微区荧光/反射光谱测试系统 | 第24-25页 |
| 3.3 时间分辨荧光光谱测试系统 | 第25-26页 |
| 第4章 ZnO四角晶须中激子极化激元及其动力学特性研究 | 第26-36页 |
| 4.1 前言 | 第26页 |
| 4.2 ZnO四角晶须的生长与制备 | 第26-27页 |
| 4.3 回音壁微腔对ZnO四角晶须荧光光谱的调制 | 第27-31页 |
| 4.4 ZnO四角晶须中激子极化激元动力学分析 | 第31-34页 |
| 4.5 小结 | 第34-36页 |
| 第5章 应变调控下的CdS纳米线光波导研究 | 第36-48页 |
| 5.1 前言 | 第36-38页 |
| 5.2 半导体CdS纳米线的生长与制备 | 第38-40页 |
| 5.2.1 半导体CdS纳米线的生长 | 第38-39页 |
| 5.2.2 周期性弯曲CdS纳米线的制备 | 第39-40页 |
| 5.3 周期性弯曲CdS纳米线的光波导效率 | 第40-44页 |
| 5.4 直的以及动态弯曲的CdS纳米线的光波导效率 | 第44-47页 |
| 5.5 小结 | 第47-48页 |
| 第6章 层状过渡金属硫化物中光-激子态强耦合研究 | 第48-60页 |
| 6.1 引言 | 第48-49页 |
| 6.2 样品微腔制备 | 第49-51页 |
| 6.3 二硫化钼和二硒化钨的色散及区别 | 第51-59页 |
| 6.4 小结 | 第59-60页 |
| 第7章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 硕士期间发表的主要论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |