| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 微波传输线概述 | 第10页 |
| 1.2 MEMS技术概述 | 第10-12页 |
| 1.3 MEMS微波传输线 | 第12-13页 |
| 1.4 本文研究目的和意义 | 第13页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 微波传输线理论与分析 | 第15-43页 |
| 2.1 微波传输线分类与特性 | 第15-25页 |
| 2.1.1 微波传输线分类 | 第15页 |
| 2.1.2 常用微波传输线传输特性 | 第15-25页 |
| 2.2 CPW传输线发展历史及现状 | 第25-26页 |
| 2.3 CPW结构与性能概述 | 第26-28页 |
| 2.3.1 CPW等效电路模型 | 第26-27页 |
| 2.3.2 分布参数模型 | 第27-28页 |
| 2.4 CPW传输线分析方法 | 第28-29页 |
| 2.4.1 微波传输线的一般分析方法 | 第28-29页 |
| 2.4.2 CPW的分析方法 | 第29页 |
| 2.5 CPW电磁场特性分析 | 第29-34页 |
| 2.6 CPW建模研究 | 第34-40页 |
| 2.7 CPW损耗研究 | 第40-42页 |
| 2.8 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 MEMS CPW新型结构的研究 | 第43-64页 |
| 3.1 MEMSCPW概述 | 第43页 |
| 3.2 MEMSCPW仿真方法的研究 | 第43-44页 |
| 3.3 MEMS CPW的新型结构设计方法 | 第44-45页 |
| 3.4 MEMS CPW结构研究 | 第45-56页 |
| 3.4.1 MEMS桥式CPW(BCPW) | 第45-48页 |
| 3.4.2 改进型MEMS桥式CPW | 第48-49页 |
| 3.4.3 MEMS开槽式CPW | 第49-51页 |
| 3.4.4 MEMS微屏蔽开槽式CPW | 第51-56页 |
| 3.5 改进型MEMS微屏蔽CPW的研究 | 第56-59页 |
| 3.6 椭圆形凹槽边缘悬空MEMSCPW的研究 | 第59-63页 |
| 3.6.1 共面波导损耗研究 | 第59页 |
| 3.6.2 椭圆形凹槽边缘悬空共面波导设计 | 第59-61页 |
| 3.6.3 椭圆形凹槽边缘悬空CPW特性阻抗分析 | 第61-62页 |
| 3.6.4 椭圆形凹槽边缘悬空共面波导仿真 | 第62页 |
| 3.6.5 椭圆形凹槽悬空共面波导的优化 | 第62-63页 |
| 3.7 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 基于薄膜结构的CPW特性研究 | 第64-84页 |
| 4.1 衬底结构尺寸对薄膜结构的CPW特性阻抗影响分析 | 第64-67页 |
| 4.2 基于薄膜结构和高阻硅衬底的共面波导特性研究 | 第67-72页 |
| 4.2.1 高阻硅衬底对CPW损耗研究 | 第67-68页 |
| 4.2.2 衬底薄膜结构CPW等效电路分析 | 第68-69页 |
| 4.2.3 模型参数对特性阻抗影响分析 | 第69-72页 |
| 4.3 不同衬底材料对CPW损耗影响分析 | 第72-73页 |
| 4.4 聚酰亚胺薄膜对高阻硅衬底CPW损耗的影响分析 | 第73-76页 |
| 4.5 二氧化硅薄膜对硅衬底CPW损耗影响分析 | 第76-83页 |
| 4.5.1 低阻硅衬底上加二氧化硅薄膜的CPW损耗分析 | 第76-80页 |
| 4.5.2 高阻硅衬底上加二氧化硅薄膜的CPW损耗分析 | 第80-83页 |
| 4.6 本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 5.1 总结 | 第84页 |
| 5.2 展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第91页 |
