| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 引言 | 第8-17页 |
| 1.1 硅晶光伏技术发展背景 | 第8-9页 |
| 1.2 硅晶体的凝固生长及工业生产技术 | 第9-11页 |
| 1.3 位错对硅晶体的光伏应用性能的影响 | 第11-13页 |
| 1.4 硅晶体中位错的形成与控制 | 第13-14页 |
| 1.5 分子动力学模拟及其在晶体凝固生长与位错形核研究中的应用 | 第14-16页 |
| 1.6 本文研究目的与内容 | 第16-17页 |
| 2 硅晶体凝固生长分子动力学模型与模拟方法 | 第17-24页 |
| 2.1 分子动力学原理 | 第17-19页 |
| 2.2 硅晶体凝固生长模型与模拟方法 | 第19-24页 |
| 2.2.1 势函数及分析方法 | 第19-20页 |
| 2.2.2 硅晶体凝固生长模型与模拟方法 | 第20-24页 |
| 3 结果与讨论 | 第24-62页 |
| 3.1 硅晶体凝固生长动力学各向异性及应力的影响 | 第24-34页 |
| 3.1.1 无外加应力条件下的硅晶体生长 | 第24-29页 |
| 3.1.2 外加应力条件下的硅晶体生长 | 第29-34页 |
| 3.2 硅晶体在不同方向上凝固生长中位错形核几率及应力影响 | 第34-41页 |
| 3.3 硅晶体凝固生长中形成的位错性质分析 | 第41-47页 |
| 3.4 硅晶体凝固生长中位错形核机制分析 | 第47-53页 |
| 3.5 硅晶体凝固生长中位错形核控制条件 | 第53-62页 |
| 3.5.1 硅晶体凝固生长中位错形核的应力条件 | 第53-56页 |
| 3.5.2 硅晶体凝固生长中位错形核的过冷度和温度梯度条件 | 第56-62页 |
| 4 总结 | 第62-64页 |
| 4.1 研究结论 | 第62-63页 |
| 4.2 本研究取得的创新性结果 | 第63页 |
| 4.3 进一步展望和建议 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第70页 |
