摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-20页 |
1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第9页 |
1.2 氧化铝基本性质 | 第9-10页 |
1.3 氧化铝薄膜制备方法 | 第10-16页 |
1.3.1 等离子体化学气相沉积(PECVD) | 第10-11页 |
1.3.2 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第11页 |
1.3.3 溶胶凝胶法 | 第11页 |
1.3.4 脉冲激光沉积(PLD) | 第11页 |
1.3.5 离子束增强沉积(IBED) | 第11-12页 |
1.3.6 磁控溅射法 | 第12-16页 |
1.4 磁控溅射氧化铝薄膜研究现状 | 第16-19页 |
1.5 本文研究内容 | 第19-20页 |
第2章 试验材料、设备及方法 | 第20-24页 |
2.1 试验材料 | 第20页 |
2.2 试验设备 | 第20-21页 |
2.3 试验方法 | 第21-22页 |
2.4 分析测试方法 | 第22-24页 |
2.4.1 等离子体质谱(MS)分析 | 第22页 |
2.4.2 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第22-23页 |
2.4.3 X射线衍射(XRD)分析 | 第23页 |
2.4.4 纳米硬度测试 | 第23页 |
2.4.5 膜基结合力测试 | 第23-24页 |
第3章 孪生Al靶高功率脉冲反应磁控溅射等离子体及放电特性分析 | 第24-40页 |
3.1 孪生靶高功率脉冲磁控溅射技术 | 第24-25页 |
3.1.1 孪生靶结构 | 第24页 |
3.1.2 孪生靶溅射电源 | 第24-25页 |
3.2 孪生靶高功率脉冲磁控溅射放电特性分析 | 第25-29页 |
3.2.1 氩氧流量比对Al靶靶电流的影响 | 第25-26页 |
3.2.2 工作电压对Al靶靶电流的影响 | 第26-27页 |
3.2.3 工作气压对Al靶靶电流的影响 | 第27-28页 |
3.2.4 脉冲宽度对Al靶靶电流的影响 | 第28-29页 |
3.2.5 脉冲频率对Al靶靶电流的影响 | 第29页 |
3.3 孪生靶高功率脉冲反应磁控溅射等离子体分析 | 第29-38页 |
3.3.1 质谱仪等离子体分析原理 | 第30-31页 |
3.3.2 不同功率密度对等离子体质谱的影响 | 第31-33页 |
3.3.3 不同氧气流量对等离子体质谱的影响 | 第33-36页 |
3.3.4 不同工作气压对等离子体质谱的影响 | 第36-38页 |
3.4 本章小结 | 第38-40页 |
第4章 孪生靶高功率脉冲磁控溅射制备氧化铝薄膜工艺研究 | 第40-53页 |
4.1 孪生靶溅射沉积Al2O3 薄膜工艺 | 第40-41页 |
4.2 表面形貌分析 | 第41-43页 |
4.2.1 氧气流量对表面形貌的影响 | 第41-43页 |
4.2.2 基片偏压对表面形貌的影响 | 第43页 |
4.3 沉积速率分析 | 第43-46页 |
4.4 晶体结构分析 | 第46-51页 |
4.4.1 XRD图谱分析 | 第46-50页 |
4.4.2 晶化机制分析 | 第50-51页 |
4.5 本章小结 | 第51-53页 |
第5章 孪生靶高功率脉冲反应磁控溅射Al2O3 薄膜性能研究 | 第53-63页 |
5.1 膜基结合力研究 | 第53-57页 |
5.2 纳米硬度研究 | 第57-60页 |
5.3 弹性模量研究 | 第60-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-63页 |
结论 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-70页 |
致谢 | 第70页 |