| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题的研究背景及研究目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第9-17页 |
| 1.2.1 碳化硅陶瓷材料的超精密加工技术 | 第9-12页 |
| 1.2.2 化学机械抛光技术研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.3 CMP 中材料去除的非均匀性研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 CMP 过程中工件与磨具相对运动及磨损分析 | 第18-34页 |
| 2.1 工件与磨具相对运动分析 | 第18-23页 |
| 2.1.1 相对运动速度分析 | 第18-20页 |
| 2.1.2 工件与磨具相对运动轨迹分析 | 第20-23页 |
| 2.2 工件均匀磨损条件及分析 | 第23-28页 |
| 2.2.1 工件均匀磨损条件 | 第23-24页 |
| 2.2.2 磨具相对工件的运动轨迹分析 | 第24-25页 |
| 2.2.3 影响工件均匀磨损的因素分析 | 第25-28页 |
| 2.3 磨具均匀磨损条件及分析 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 碳化硅 CMP 过程的接触应力分析 | 第34-48页 |
| 3.1 抛光过程中接触应力的分布不均匀性 | 第34-35页 |
| 3.2 CMP 接触模型的建立 | 第35-37页 |
| 3.2.1 CMP 的有限元接触模型 | 第35-36页 |
| 3.2.2 接触模型的边界条件 | 第36-37页 |
| 3.2.3 网格划分 | 第37页 |
| 3.3 仿真结果分析 | 第37-44页 |
| 3.3.1 工件表面接触应力分布规律 | 第37页 |
| 3.3.2 影响表面接触应力分布的因素分析 | 第37-40页 |
| 3.3.3 保持环相关参数对接触应力分布的影响 | 第40-44页 |
| 3.4 工件表面接触应力分布的非均匀性分析 | 第44-47页 |
| 3.4.1 各因素对工件表面接触应力分布非均匀性的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.2 保持环对表面接触应力分布非均匀性的影响 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 碳化硅 CMP 表面平整性的实验研究 | 第48-59页 |
| 4.1 实验方法及实验条件 | 第48-49页 |
| 4.1.1 碳化硅陶瓷试件 | 第48页 |
| 4.1.2 实验设备 | 第48-49页 |
| 4.2 实验结果分析 | 第49-50页 |
| 4.3 表面平整性的影响因素 | 第50-55页 |
| 4.3.1 抛光压力对表面平整性的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.2 相对速度对表面平整性的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.3 抛光垫对表面平整性的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 保持环对表面平整性的影响 | 第55-58页 |
| 4.4.1 保持环与工件间隙对表面平整性的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.2 保持环宽度及结构对表面平整性的影响 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 碳化硅 CMP 去除率及表面粗糙度的实验研究 | 第59-72页 |
| 5.1 CMP 材料去除模型 | 第59-60页 |
| 5.2 实验方法 | 第60页 |
| 5.3 实验结果分析 | 第60-71页 |
| 5.3.1 抛光压力对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第60-64页 |
| 5.3.2 抛光速度对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第64-66页 |
| 5.3.3 抛光液浓度对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第66-67页 |
| 5.3.4 抛光垫对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第67-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
