| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第 1 章 引言 | 第7-17页 |
| 1.1 概述 | 第7-9页 |
| 1.2 光电化学分解水制氢机理 | 第9-11页 |
| 1.2.1 基本原理 | 第9-11页 |
| 1.2.2 光电化学分解水制氢效率的计算 | 第11页 |
| 1.3 复合半导体光电极光电化学分解水制氢原理及进展 | 第11-15页 |
| 1.3.1 复合半导体光电极光电化学制氢设计原理 | 第11-13页 |
| 1.3.2 复合半导体光电极光电化学制氢进展 | 第13-15页 |
| 1.4 本文的研究内容和意义 | 第15-17页 |
| 1.4.1 本文的研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4.2 本文研究的意义 | 第16-17页 |
| 第 2 章 实验部分 | 第17-22页 |
| 2.1 主要试剂和仪器 | 第17-18页 |
| 2.2 实验过程 | 第18-19页 |
| 2.2.1 纳米柱状二氧化钛阵列薄膜的制备 | 第18页 |
| 2.2.2 纳米柱状二氧化钛阵列薄膜的碳掺杂改性 | 第18-19页 |
| 2.2.3 纳米柱状氧化锌阵列薄膜的制备 | 第19页 |
| 2.2.4 硫化镉及 ZnxCd1-xS 修饰纳米柱状氧化锌阵列薄膜的制备 | 第19页 |
| 2.3 样品的表征 | 第19-22页 |
| 第 3 章 纳米柱状二氧化钛阵列薄膜制备和改性 | 第22-28页 |
| 3.1 不同温度退火对纳米柱状二氧化钛阵列晶体结构的影响 | 第22-24页 |
| 3.2 碳掺杂对纳米柱状二氧化钛阵列的影响 | 第24-27页 |
| 3.3 小结 | 第27-28页 |
| 第 4 章 纳米柱状氧化锌阵列薄膜制备和改性 | 第28-37页 |
| 4.1 水热反应中硝酸锌浓度对纳米柱状氧化锌阵列的影响 | 第28-30页 |
| 4.2 水热法硫化镉及 ZnxCd1-xS 敏化纳米柱状氧化锌阵列过程中乙二胺(en)与硝酸镉浓度比 R 对样品影响 | 第30-33页 |
| 4.3 水热反应中 R=30:1 条件下，水热反应时间对纳米柱状氧化锌阵列的影响 | 第33-36页 |
| 4.4 小结 | 第36-37页 |
| 第 5 章 结论与展望 | 第37-39页 |
| 5.1 主要结论 | 第37-38页 |
| 5.2 进一步工作的方向 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-46页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第46页 |
