| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 低辐射镀膜玻璃 | 第8-15页 |
| 1.2.1 低辐射镀膜玻璃的节能原理 | 第8-9页 |
| 1.2.2 低辐射镀膜玻璃的主要性能指标 | 第9-10页 |
| 1.2.3 低辐射镀膜玻璃的种类 | 第10-13页 |
| 1.2.4 低辐射镀膜玻璃的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.3 TiSi_2及 Ti_5Si_3薄膜 | 第15-19页 |
| 1.3.1 TiSi_2及 Ti_5Si_3晶体结构及性质 | 第15-16页 |
| 1.3.2 TiSi_2薄膜的应用研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.3 Ti_5Si_3薄膜的应用研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3.4 硅化钛薄膜的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.4 研究意义、内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验 | 第20-28页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第20-25页 |
| 2.1.1 实验装置 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验有关参数的校正及确定 | 第21-24页 |
| 2.1.3 实验步骤 | 第24-25页 |
| 2.2 测试设备及其原理 | 第25-28页 |
| 2.2.1 X 射线衍射分析（XRD） | 第25-26页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第26-27页 |
| 2.2.3 紫外-可见光透射率测试 | 第27页 |
| 2.2.4 红外反射率测试 | 第27页 |
| 2.2.5 薄膜电阻的测定 | 第27-28页 |
| 第3章 工艺参数对薄膜电学性能影响的研究 | 第28-48页 |
| 3.1 SiH_4/TiCl_4摩尔比对薄膜电学性能影响的研究 | 第28-30页 |
| 3.2 反应温度对薄膜电学性能影响的研究 | 第30-40页 |
| 3.2.1 反应温度对 Ti_5Si_3薄膜电学性能影响的研究 | 第31-36页 |
| 3.2.2 反应温度对 TiSi_2薄膜电学性能影响的研究 | 第36-40页 |
| 3.3 沉积时间对薄膜电学性能影响的研究 | 第40-46页 |
| 3.3.1 沉积时间对 Ti_5Si_3薄膜电学性能影响的研究 | 第40-43页 |
| 3.3.2 沉积时间对 TiSi_2薄膜电学性能影响的研究 | 第43-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 工艺参数对薄膜光学性能影响的研究 | 第48-68页 |
| 4.1 SiH_4/TiCl_4摩尔比对薄膜光学性能影响的研究 | 第48-54页 |
| 4.1.1 SiH_4/TiCl_4摩尔比对薄膜可见光透射性能影响的研究 | 第48-51页 |
| 4.1.2 SiH_4/TiCl_4摩尔比对薄膜红外反射性能影响的研究 | 第51-54页 |
| 4.2 反应温度对薄膜光学性能影响的研究 | 第54-60页 |
| 4.2.1 反应温度对 Ti_5Si_3薄膜透射和反射性能影响的研究 | 第54-57页 |
| 4.2.2 反应温度对 TiSi_2薄膜透射和反射性能影响的研究 | 第57-60页 |
| 4.3 沉积时间对薄膜光学性能影响的研究 | 第60-67页 |
| 4.3.1 沉积时间对 Ti_5Si_3薄膜可见光透射性能影响的研究 | 第60-62页 |
| 4.3.2 沉积时间对 Ti_5Si_3薄膜红外反射性能影响的研究 | 第62-64页 |
| 4.3.3 沉积时间对 TiSi_2薄膜可见光透射性能影响的研究 | 第64-65页 |
| 4.3.4 沉积时间对 TiSi_2薄膜红外反射性能影响的研究 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 结论 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读学位期间研究成果 | 第76页 |
