| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 一维ZnO纳米材料应用简介 | 第11-17页 |
| 1.2.1 一维ZnO纳米材料光学器件 | 第11-12页 |
| 1.2.2 一维ZnO纳米材料电子器件 | 第12-15页 |
| 1.2.3 一维ZnO纳米材料传感器件 | 第15-17页 |
| 1.3 金属与半导体接触 | 第17-18页 |
| 1.4 肖特基势垒高度的调控 | 第18-22页 |
| 1.4.1 金属和半导体的功函数对肖特基势垒高度的影响 | 第18-19页 |
| 1.4.2 表面态对肖特基势垒高度的影响 | 第19-20页 |
| 1.4.3 光照对肖特基势垒高度的影响 | 第20-21页 |
| 1.4.4 镜像力对肖特基势垒高度的影响 | 第21-22页 |
| 1.4.5 压电势对肖特基势垒高度的影响 | 第22页 |
| 1.5 肖特基势垒结构研究简介 | 第22-26页 |
| 1.6 本论文研究的意义、思路和主要内容 | 第26-28页 |
| 1.6.1 选题意义及思路 | 第26-27页 |
| 1.6.2 主要内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第二章 ZnO纳米带的制备、表征及单根纳米带器件的构筑 | 第32-44页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 ZnO纳米带的制备和表征 | 第32-38页 |
| 2.2.1 ZnO纳米带的制备 | 第32-33页 |
| 2.2.2 ZnO纳米带的表征 | 第33-38页 |
| 2.3 单根ZnO纳米带三电极肖特基器件的构筑 | 第38-40页 |
| 2.3.1 介电泳交流电场组装机理 | 第38-39页 |
| 2.3.2 单根ZnO纳米带器件的组装 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 偏压对肖特基势垒的调控研究 | 第44-55页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 三电极法用于肖特基势垒输运特性的研究 | 第44-48页 |
| 3.3 偏压对肖特基势垒的调控 | 第48-50页 |
| 3.4 三电极测试的肖特基势垒结构分析 | 第50-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 肖特基势垒双向输运特性研究 | 第55-62页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 实验方法与过程 | 第56-57页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第57-59页 |
| 4.4 势垒结构分析 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 总结与展望 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间完成的工作 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |