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非对称量子阱结构中非线性光学性质及其应用的研究

中文摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 绪论第8-21页
    1.1 THz波简介第8-9页
    1.2 THz波的特性及其应用第9-12页
        1.2.1 THz波的特性第9-10页
        1.2.2 THz波的应用第10-12页
    1.3 THz技术的发展状况及发展前景第12-13页
    1.4 THz波辐射源第13-18页
    1.5 量子阱的研究状况第18-20页
    1.6 论文的主要内容第20-21页
第二章 非线性极化率的量子理论的一些基本知识第21-29页
    2.1 量子力学的基本概念第21页
    2.2 电偶极矩近似第21-22页
    2.3 密度算符与密度矩阵第22-26页
    2.4 极化率张量元第26-29页
第三章 非抛物效应对量子阱中二阶非线性差频和光整流系数的影响第29-41页
    3.1 理论计算与分析第30-39页
        3.1.1 导带为抛物线形时量子阱中波函数和能级值的确定第30-32页
        3.1.2 导带为非抛物线形时量子阱中波函数和能级值的确定第32-35页
        3.1.3 导带为非抛物线形对能级值的影响的讨论第35-36页
        3.1.4 导带为非抛物线形时对阶梯形量子阱中的二阶差频系数和光整数的影响第36-39页
    3.2 本章小结第39-41页
第四章 偏置电场对量子阱中折射率和非线性吸收的影响第41-51页
    4.1 理论模型第41-45页
    4.2 结果与讨论第45-50页
    4.3 本章小结第50-51页
第五章 利用差频过程产生THz波的理论研究第51-61页
    5.1 差频过程的微观动力学分析第51-56页
    5.2 差频晶体的选择第56-58页
    5.3 差频晶体相位匹配技术第58-61页
第六章 利用非对称量子阱进行差频产生THz波的理论研究第61-79页
    6.1 GaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As非对称量子阱差频产生THz波的相位匹配第61-71页
    6.2 GaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As非对称量子阱对入射光和差频产生的THz波的吸收第71-75页
    6.3 GaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As采用非对称量子阱差频产生THz波的差频系数第75-76页
    6.4 多量子阱结构设计及采用量子阱进行差频产生THz波的实验装置设计第76-78页
    6.5 本章小结第78-79页
参考文献第79-85页
发表论文和科研情况说明第85-86页
致谢第86页

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