| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 第1节 磁性与反常霍尔效应 | 第8-9页 |
| 第2节 反常霍尔效应的三种机制 | 第9-12页 |
| 2.1. skew scattering | 第9-10页 |
| 2.2. side jump | 第10页 |
| 2.3. 内禀机制与k空间的贝利相位 | 第10-12页 |
| 第3节 非共面磁结构与拓扑霍尔效应 | 第12-15页 |
| 第4节 本文讨论的问题与行文结构 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 实验技术和方法 | 第20-28页 |
| 第1节 厚度楔形薄膜样品在输运测量中的应用 | 第20-22页 |
| 第2节 洛伦兹电镜简介 | 第22-23页 |
| 第3节 薄膜磁性测量与降噪 | 第23-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 顺磁镍铜合金中的反常霍尔效应 | 第28-42页 |
| 第1节 前言 | 第28-29页 |
| 第2节 顺磁镍铜合金薄膜的制备 | 第29-32页 |
| 第3节 分离skew scattering和side jump | 第32-33页 |
| 第4节 side jump的正确标度关系 | 第33-37页 |
| 第5节 结论 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 第四章 锰硅薄膜的外延生长与磁性 | 第42-62页 |
| 第1节 前言 | 第42-45页 |
| 第2节 锰硅薄膜在硅(111)面的外延生长 | 第45-51页 |
| 第3节 锰硅外延薄膜的磁性 | 第51-57页 |
| 第4节 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 第五章 锰硅/硅(111)薄膜中的拓扑霍尔效应 | 第62-80页 |
| 第1节 前言 | 第62-65页 |
| 第2节 锰硅外延薄膜的反常霍尔效应 | 第65-70页 |
| 第3节 skyrmion磁结构诱导的拓扑霍尔效应 | 第70-76页 |
| 第4节 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 发表文章 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |