| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 太阳能光解水制氢技术概况 | 第11-14页 |
| 1.2.1 光解水的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 半导体光解水的基本原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 太阳能光解水的途径 | 第13-14页 |
| 1.3 SiC 光催化剂简介 | 第14-19页 |
| 1.3.1 SiC 基本性质 | 第14-15页 |
| 1.3.2 3C-SiC 纳米晶在光催化方面的应用 | 第15-16页 |
| 1.3.3 3C-SiC 纳米晶的制备 | 第16-17页 |
| 1.3.4 3C-SiC 纳米晶光电性能改性 | 第17-19页 |
| 1.4 上转化发光材料 | 第19-22页 |
| 1.4.1 上转换发光机理 | 第19-20页 |
| 1.4.2 上转换发光材料的组成 | 第20-21页 |
| 1.4.3 稀土掺杂上转换发光材料的制备方法 | 第21-22页 |
| 1.5 多巴胺改性 SiC 复合薄膜的简介 | 第22-23页 |
| 1.5.1 薄膜改性方法 | 第22页 |
| 1.5.2 多巴胺的性质和作用 | 第22-23页 |
| 1.5.3 多巴改性 3C-SiC 纳米晶复合膜的制备方法 | 第23页 |
| 1.6 课题内容及创新 | 第23-25页 |
| 1.6.1 课题研究内容 | 第23页 |
| 1.6.2 课题创新点 | 第23-25页 |
| 第二章 超细 3C-SiC 纳米晶的制备及表征 | 第25-33页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 实验原料及设备 | 第25-26页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第25-26页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第26页 |
| 2.3 3C-SiC 纳米晶的制备 | 第26页 |
| 2.4 材料表征及测试手段 | 第26-27页 |
| 2.4.1 透射电子显微镜（TEM）分析 | 第26-27页 |
| 2.4.2 X 射线衍射（XRD）分析 | 第27页 |
| 2.4.3 紫外可见（UV-Vis）分析 | 第27页 |
| 2.4.4 荧光光谱（PL）分析 | 第27页 |
| 2.5 结果与讨论 | 第27-32页 |
| 2.5.1 3C-SiC 纳米晶形成机理 | 第27页 |
| 2.5.2 3C-SiC 纳米晶的表征 | 第27-31页 |
| 2.5.3 3C-SiC 纳米晶光致发光特性 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 3C-SiC/Y2O3纳米复合结构制备及表征 | 第33-48页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验原料及设备 | 第34-35页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第34页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第34-35页 |
| 3.3 实验方法 | 第35-36页 |
| 3.3.1 Y_2O_3:Er~(3+),Yb~(3+)纳米颗粒的制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 3C-SiC/Y_2O_3纳米复合结构的制备 | 第36页 |
| 3.4 材料表征方法 | 第36-37页 |
| 3.4.1 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第36-37页 |
| 3.4.2 透射电子显微镜（TEM）分析 | 第37页 |
| 3.4.3 紫外可见吸收图谱（UV-Vis）分析 | 第37页 |
| 3.4.4 红外光谱图（FTIR）分析 | 第37页 |
| 3.4.5 Zeta 电位分析 | 第37页 |
| 3.4.6 X 射线衍射图谱（XRD）分析 | 第37页 |
| 3.5 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 3.5.1 Y_2O_3纳米颗粒的形貌及结构表征 | 第37-39页 |
| 3.5.2 Er~(3+),Yb~(3+)离子掺杂 Y2O3纳米颗粒的上转换发光性能表征研究 | 第39-43页 |
| 3.5.3 3C-SiC/ Y_2O_3纳米复合结构的表征研究 | 第43-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 3C-SiC/ Y_2O_3复合薄膜光电极的制备、表征及光电性能研究 | 第48-59页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 实验原料及器材 | 第49-50页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第49-50页 |
| 4.2.2 实验器材 | 第50页 |
| 4.3 实验方法 | 第50-58页 |
| 4.3.1 导电玻璃的预处理 | 第50页 |
| 4.3.3 Nafion 及 dopamine 改性 3C-SiC 纳米晶薄膜的制备 | 第50-52页 |
| 4.3.4 材料表征方法 | 第52页 |
| 4.3.5 结果与讨论 | 第52-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 全文结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 发表专利和参加科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
