| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 纳米材料的基本概念与分类 | 第10页 |
| 1.1.2 纳米材料的特性 | 第10-13页 |
| 1.1.3 纳米材料的发展与应用 | 第13页 |
| 1.2 半导体材料概述 | 第13-15页 |
| 1.2.1 半导体材料的定义与分类 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半导体材料的特性及其研究应用 | 第14-15页 |
| 1.3 半导体纳米材料的表征手段 | 第15-19页 |
| 1.3.1 X 射线衍射（XRD）分析 | 第15-16页 |
| 1.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第16页 |
| 1.3.3 透射电子显微镜（TEM） | 第16-17页 |
| 1.3.4 紫外-可见吸收光谱仪（UV-vis） | 第17-18页 |
| 1.3.5 荧光光谱仪（PL） | 第18-19页 |
| 1.4 本课题的研究背景、意义和内容 | 第19-22页 |
| 1.4.1 研究背景及意义 | 第19-21页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 Au-SiO2核壳结构的制备和光学性质研究 | 第22-31页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-26页 |
| 2.2.1 试剂与设备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 Au 纳米颗粒和 Au-SiO2核壳结构的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.3 样品表征 | 第25-26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-30页 |
| 2.3.1 样品的结构形貌分析 | 第26-28页 |
| 2.3.2 能谱测试分析 | 第28页 |
| 2.3.3 紫外可见吸收光谱分析 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 CdTe 量子点的制备和光学性质研究 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 实验部分 | 第32-34页 |
| 3.2.1 试剂与设备 | 第32-33页 |
| 3.2.2 不同 pH 条件下 CdTe 量子点的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.3 样品表征 | 第34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-38页 |
| 3.3.1 荧光光谱分析 | 第34-37页 |
| 3.3.2 紫外可见吸收光谱分析 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 Au-SiO_2-CdTe 复合结构的制备和光学性质研究 | 第39-51页 |
| 4.1 引言 | 第39-41页 |
| 4.2 实验部分 | 第41-43页 |
| 4.2.1 试剂与设备 | 第41页 |
| 4.2.2 Au-SiO_2-CdTe 复合结构的制备 | 第41-42页 |
| 4.2.3 Au-SiO_2-CdTe 复合结构的合成机理 | 第42-43页 |
| 4.2.4 样品表征 | 第43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 4.3.1 Au-SiO_2-CdTe 样品的结构形貌分析 | 第43-44页 |
| 4.3.2 Au-SiO_2-CdTe 样品的紫外可见吸收光谱分析 | 第44-45页 |
| 4.3.3 Au 颗粒大小对复合结构发光的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.4 SiO_2层厚度对复合结构发光的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.5 时间分辨光谱分析 | 第49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录A（攻读学位期间所发表的学术论文目录） | 第60页 |
