| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第10-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-39页 |
| 1.1 雷达吸波材料概述 | 第17-25页 |
| 1.1.1 雷达吸波材料的物理机制 | 第17-19页 |
| 1.1.2 吸波材料电磁特性的影响因素 | 第19-20页 |
| 1.1.3 结构吸波材料的分类 | 第20-23页 |
| 1.1.4 结构吸波材料的结构型式设计 | 第23-25页 |
| 1.2 高温吸波材料的研究进展 | 第25-30页 |
| 1.2.1 高温吸收剂 | 第25-27页 |
| 1.2.2 高温结构吸波材料 | 第27-28页 |
| 1.2.3 吸波材料高温介电性能的研究进展 | 第28-29页 |
| 1.2.4 高温吸波材料的发展趋势 | 第29-30页 |
| 1.3 SiC_f/SiC复合材料体系概述 | 第30-37页 |
| 1.3.1 SiC纤维研究进展 | 第30-31页 |
| 1.3.2 SiC_f/SiC复合材料界面相研究进展 | 第31-34页 |
| 1.3.3 SiC_f/SiC复合材料制备工艺概述 | 第34-37页 |
| 1.4 论文的选题依据及研究内容 | 第37-39页 |
| 1.4.1 SiC_f/SiC复合材料作为高温吸波材料的优势与局限 | 第37页 |
| 1.4.2 论文研究内容 | 第37-39页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第39-51页 |
| 2.1 实验原材料 | 第39-40页 |
| 2.1.1 化学试剂 | 第39页 |
| 2.1.2 增强体纤维 | 第39页 |
| 2.1.3 其他原料 | 第39-40页 |
| 2.2 SiC_f/SiC复合材料的制备过程及相关设备 | 第40-43页 |
| 2.2.1 纤维预制体除胶 | 第40页 |
| 2.2.2 BN界面层的制备 | 第40-41页 |
| 2.2.3 SiC基体的制备 | 第41-43页 |
| 2.2.4 SiC_f/SiC复合材料的高温氧化 | 第43页 |
| 2.3 SiC_f/SiC复合材料性能测试 | 第43-48页 |
| 2.3.1 力学性能测试 | 第43-44页 |
| 2.3.2 介电常数测试 | 第44-45页 |
| 2.3.3 反射率测试 | 第45-47页 |
| 2.3.4 电导率测试 | 第47页 |
| 2.3.5 密度和气孔率测试 | 第47-48页 |
| 2.4 SiC_f/SiC复合材料结构分析与表征 | 第48-51页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜（SEM）和能谱（EDS）分析 | 第48-49页 |
| 2.4.2 X射线衍射（XRD）分析 | 第49页 |
| 2.4.3 热重-差示扫描量热（TG-DSC）分析 | 第49页 |
| 2.4.4 傅里叶红外光谱（FT-IR）分析 | 第49页 |
| 2.4.5 拉曼光谱（Raman）分析 | 第49页 |
| 2.4.6 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第49-51页 |
| 第3章 CVI法制备SiC_f/SiC复合材料及性能研究 | 第51-87页 |
| 3.1 SiC纤维微观结构及介电性能研究 | 第51-59页 |
| 3.1.1 微观结构分析 | 第51-54页 |
| 3.1.2 室温电导率及介电性能研究 | 第54-57页 |
| 3.1.3 高温介电性能研究 | 第57-59页 |
| 3.2 CVI-SiC基体微观结构及介电性能研究 | 第59-64页 |
| 3.2.1 微观结构分析 | 第60-62页 |
| 3.2.2 介电性能研究 | 第62-64页 |
| 3.3 CVI-SiC_f/SiC复合材料的力学及介电性能研究 | 第64-73页 |
| 3.3.1 力学性能 | 第64-66页 |
| 3.3.2 室温介电性能 | 第66-68页 |
| 3.3.3 高温介电性能 | 第68-73页 |
| 3.4 高温氧化对CVI-SiC_f/SiC复合材料力学及介电性能的影响 | 第73-84页 |
| 3.4.1 力学性能 | 第73-77页 |
| 3.4.2 室温介电性能 | 第77-82页 |
| 3.4.3 高温介电性能 | 第82-84页 |
| 3.5 本章小结 | 第84-87页 |
| 第4章 PIP法制备SiC_f/SiC复合材料及性能研究 | 第87-129页 |
| 4.1 PIP-SiC基体的微观结构及介电性能研究 | 第87-91页 |
| 4.1.1 聚碳硅烷的DSC/TG分析 | 第87-88页 |
| 4.1.2 裂解温度对聚碳硅烷产物结构的影响 | 第88-90页 |
| 4.1.3 裂解温度对SiC基体介电性能的影响 | 第90-91页 |
| 4.2 PIP-SiC_f/SiC复合材料的力学及介电性能研究 | 第91-100页 |
| 4.2.1 气孔率对PIP-SiC_f/SiC复合材料力学及介电性能的影响 | 第91-94页 |
| 4.2.2 BN界面层对PIP-SiC_f/SiC复合材料力学及介电性能的影响 | 第94-96页 |
| 4.2.3 PIP-SiC_f/BN/SiC复合材料的高温介电性能研究 | 第96-100页 |
| 4.3 Al_2O_3填料对PIP-SiC_f/BN/SiC复合材料力学及介电性能的影响 | 第100-109页 |
| 4.3.1 力学性能 | 第100-105页 |
| 4.3.2 室温介电性能 | 第105-107页 |
| 4.3.3 高温介电性能 | 第107-109页 |
| 4.4 SiO_2填料对PIP-SiC_f/BN/SiC复合材料力学及介电性能的影响 | 第109-116页 |
| 4.4.1 力学性能 | 第109-113页 |
| 4.4.2 室温介电性能 | 第113-114页 |
| 4.4.3 高温介电性能 | 第114-116页 |
| 4.5 低温预氧化对PIP-SiC_f/BN/SiC复合材料力学及介电性能的影响 | 第116-128页 |
| 4.5.1 PCS的低温预氧化过程及产物结构分析 | 第116-119页 |
| 4.5.2 预氧化对PIP-SiC_f/BN/SiC复合材料力学性能的影响 | 第119-123页 |
| 4.5.3 预氧化对PIP-SiC_f/BN/SiC复合材料室温介电性能的影响 | 第123-125页 |
| 4.5.4 预氧化对PIP-SiC_f/BN/SiC复合材料高温介电性能的影响 | 第125-128页 |
| 4.6 本章小结 | 第128-129页 |
| 第5章 混合工艺制备SiC_f/SiC复合材料及性能研究 | 第129-147页 |
| 5.1 CVI+PIP工艺对SiC_f/BN/SiC复合材料力学及介电性能的影响 | 第129-138页 |
| 5.1.1 力学性能 | 第129-135页 |
| 5.1.2 室温介电性能 | 第135-137页 |
| 5.1.3 高温介电性能 | 第137-138页 |
| 5.2 填料法结合预氧化工艺制备SiC_f/BN/SiC复合材料及性能研究 | 第138-145页 |
| 5.2.1 力学性能 | 第138-141页 |
| 5.2.2 室温介电性能 | 第141-143页 |
| 5.2.3 高温介电性能 | 第143-145页 |
| 5.3 本章小结 | 第145-147页 |
| 第6章 SiC_f/SiC吸波材料测试板的制备及高温吸波性能研究 | 第147-159页 |
| 6.1 SiC_f/SiC吸波材料测试板的制备及高温反射率测试 | 第147-150页 |
| 6.1.1 SiC_f/SiC吸波材料测试板的制备 | 第147-148页 |
| 6.1.2 SiC_f/SiC复合材料的实测高温反射率 | 第148-149页 |
| 6.1.3 SiC_f/SiC复合材料的高温反射率实测值与计算值对比研究 | 第149-150页 |
| 6.2 SiC_f/SiC复合材料高温吸波性能的影响因素研究 | 第150-157页 |
| 6.2.1 复介电常数实部的影响 | 第150-152页 |
| 6.2.2 复介电常数虚部的影响 | 第152-153页 |
| 6.2.3 保温时间的影响 | 第153-154页 |
| 6.2.4 孔隙分布的影响 | 第154-155页 |
| 6.2.5 预制体经纬向的影响 | 第155-156页 |
| 6.2.6 测试循环次数的影响 | 第156-157页 |
| 6.3 本章小结 | 第157-159页 |
| 结论与展望 | 第159-163页 |
| 参考文献 | 第163-181页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第181-183页 |
| 致谢 | 第183-185页 |
