| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第12页 |
| 1.2 纳米晶中d~(5,7,9)离子自旋哈密顿参量研究的国内外现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 纳米晶以及晶体场和电子顺磁共振理论 | 第15-38页 |
| 2.1 纳米晶 | 第15-16页 |
| 2.1.1 纳米晶简介 | 第15页 |
| 2.1.2 纳米晶的特性 | 第15-16页 |
| 2.2 晶体场理论 | 第16-33页 |
| 2.2.1 晶体场理论的基本假设和体系哈密顿量 | 第17页 |
| 2.2.2 晶体场势能 | 第17-23页 |
| 2.2.3 晶体场的三种耦合方案 | 第23-25页 |
| 2.2.4 能量矩阵的建立 | 第25-29页 |
| 2.2.5 晶体场的三种模型 | 第29-30页 |
| 2.2.6 晶体中dN离子的共价性 | 第30-33页 |
| 2.2.7 Jahn-Teller效应 | 第33页 |
| 2.3 电子顺磁共振理论 | 第33-37页 |
| 2.3.1 电子顺磁共振的基本原理 | 第34-35页 |
| 2.3.2 电子顺磁共振谱的线宽和线型 | 第35-36页 |
| 2.3.3 自旋哈密顿参量简介 | 第36-37页 |
| 2.3.4 自旋哈密顿理论简介 | 第37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 纳米晶和块体中 3d~5离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第38-52页 |
| 3.1 3d~5组态的晶场能级 | 第38页 |
| 3.2 Cd X和Zn X(X= S, Se, Te)纳米晶中Mn~(2+)的占位定则 | 第38-41页 |
| 3.2.1 占位定则的提出 | 第39-41页 |
| 3.2.2 占位定则的应用 | 第41页 |
| 3.3 三角畸变四面体中 3d~5离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第41-44页 |
| 3.4 应用 | 第44-51页 |
| 3.4.1 ZnO纳米晶和块体中Mn~(2+)自旋哈密顿参量和杂质位移的研究 | 第44-48页 |
| 3.4.2 Zn S纳米晶和块体中Mn~(2+)自旋哈密顿参量和角度畸变的研究 | 第48-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 纳米晶中八面体场 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第52-62页 |
| 4.1 八面体中 3d~9组态的晶场能级 | 第52-53页 |
| 4.2 四角伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第53-55页 |
| 4.3 应用 | 第55-61页 |
| 4.3.1 ZnO纳米晶中Cu~(2+)自旋哈密顿参量和局部四角伸长畸变的研究 | 第55-59页 |
| 4.3.2 HgBa_2CuO_(4+δ) 中Cu~(2+)的g因子和Knight位移的研究 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 纳米晶中四面体场 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第62-77页 |
| 5.1 四面体中 3d~9组态的晶场能级 | 第62页 |
| 5.2 四角畸变四面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第62-63页 |
| 5.3 四角畸变四面体中Cu~(2+)各向异性自旋哈密顿参量的研究 | 第63-70页 |
| 5.4 四角畸变四面体中Cu~(2+)各向同性g因子的研究 | 第70-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 纳米晶中 3d~7离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第77-81页 |
| 6.1 3d~7组态的晶场能级 | 第77-78页 |
| 6.2 三角畸变四面体中 3d~7离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第78页 |
| 6.3 ZnO纳米晶中Co~(2+)的自旋哈密顿参量和局部结构的研究 | 第78-80页 |
| 6.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第81-84页 |
| 7.1 全文总结 | 第81-82页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-104页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第104-105页 |
